※ 引述《sean25059199 (appleisgood)》之铭言： : 我想在铜块跟铜块中间有光阻或其他阻挡层当作insulation layer, 但是不知道要选择 : 哪种光阻材料当做第一层的insulation layer(只要很薄1-2um以下都可)? : 请问有人有经验能给点建议吗？ 我之前做过镍电铸，所用的牺牲层光阻是正光阻S1813(它的厚度就是1.3~1.8um) 能耐热的温度大约为120度，超过就会不好去除 但如果你是不希望他被去除，我之前有做过reflow 把光阻烤到200多度 他就固化了，连硫酸+双氧水都去除不了.........供您参考 : 我的制程是先在Si wafer先sputter Cr/Cu种子层,然後在上第一层光阻或其他阻挡层 : (只要不会上镀都可以, 只需要1-2um就可以或更少也可以)先做出pattern, 然後再上第二 : 层光阻 (我想要用的是厚dry film光阻~约15um, 这个已经有购买且有做出来过) 然後再做 : 出一样的pattern, 接下来在电镀铜块, 然後用1％NAOH泡一下下就可以把第二层乾膜光阻 : 给洗掉, 剩下就是电镀出的铜块, 以及第一层的光阻或其他阻挡层在铜块与铜块之间去做 : 阻绝层,我现在不知道要使用什麽光阻去当做第一层的insulation layer阻挡层, 这层阻挡层 : 希望要永久保留住, 能抗温最好, 不会被第二层的去光阻液体(1%NAOH)给攻击, 请问能给 : 我点意见要用什麽当做第一层的阻挡层吗?以及哪里可以购买吗？ : 谢谢 --

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