作者sunchloveann (北微戰神)
看板NEMS
標題Re: [問題] SU8-3010 製程
時間Wed May 18 15:46:33 2016
※ 引述《YuShaoChen (我轉三圈)》之銘言：
: 各位板上的先進好
: 小弟我最近在 SU-3010 的 pattern 上遇到一些困難
: 不知道各位大大有沒有人曾經做過 3010 的 pattern 可以做到 13~15 um 高
: ( 形狀是分裂共振環 間隔週期 20 um )
: 並且邊緣是切直俐落如 data sheet 上的圖一般
: 可以告訴小弟我當初的參數或是任何需要注意的點嗎
: 以下概述我目前的製程
: -------------我是分隔線-------------
: SU8-3010 cotaing 600 rmp 30 sec
: 1000 rmp 60 sec
: 軟烤 100'C 15 min
: 曝光 320 W 7 sec
: 曝後烤 100'C 20 min
: 顯影 ( sping ) 600 rmp 30 sec SU8-develop
: 定影 IPA
: --------------分隔線是我--------------
: 這樣的製程方式良率不高，且邊緣也不不是切直的
: 之前是將就著用，最近發現後製程需要切直才好處理
: 所以上來詢問一下各位大大是否有任何建議或經驗可以提供
: 首PO請見諒 感謝各位~~
建議可以在soft bake的時間上分成兩段
65度 2min
95度 15min
然後曝光時間可以加強1.2~1.5倍(增加SU8分子鍵結的能力)
曝後烤維持不變
顯影的部分我這邊是用浸泡的，不像貴單位是旋塗的
這樣看有沒有幫助
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1F：推 YuShaoChen: 我們當初也是浸泡顯影 只是每次不是脫落就是洗不乾淨 05/18 18:13
2F：→ YuShaoChen: 所以才考慮用旋塗直接將洗下來的甩開 05/18 18:13
3F：→ sunchloveann: 確實 浸泡或有你說的問題 但只要軟烤 曝光 曝後烤 05/18 18:50
4F：→ sunchloveann: 這三個參數抓好 就可以成功顯影出 05/18 18:51
5F：→ sunchloveann: 我自己也是試了很多次 才知道結構要漂亮 曝光要長 05/18 18:52
6F：→ sunchloveann: 曝後烤也要有一定的溫度 最後顯影也要抓得剛剛好 05/18 18:52
7F：→ sunchloveann: 另外我浸泡只要不過顯 我會慢慢顯好幾次 05/18 18:54
8F：→ sunchloveann: 就是顯差不多 先取出來看有沒有白白的光祖殘留 05/18 18:54
9F：→ sunchloveann: 有就在回去顯影劑 05/18 18:55
10F：→ sunchloveann: 基本上我不曉得你的IPA定型功用跟我認知的一不一樣 05/18 18:55
11F：→ sunchloveann: 一般我是 顯差不多 取出 用IPA沖乾淨 氮氣槍吹乾 05/18 18:56
12F：→ sunchloveann: OM觀測圖形 沒顯乾淨 繼續回顯影劑顯 05/18 18:57
13F：→ sunchloveann: 有顯乾淨 就在回IPA洗乾淨一點 在吹乾 硬烤 05/18 18:58
14F：→ sunchloveann: 有時候也會看到有同學IPA洗完後 確定OK 就用水洗... 05/18 19:00
15F：→ sunchloveann: 雖然我不建議用水洗 只要有殘餘顯影劑 遇水光阻回爛 05/18 19:02