作者sunchloveann (北微战神)
看板NEMS
标题Re: [问题] SU8-3010 制程
时间Wed May 18 15:46:33 2016
※ 引述《YuShaoChen (我转三圈)》之铭言：
: 各位板上的先进好
: 小弟我最近在 SU-3010 的 pattern 上遇到一些困难
: 不知道各位大大有没有人曾经做过 3010 的 pattern 可以做到 13~15 um 高
: ( 形状是分裂共振环 间隔周期 20 um )
: 并且边缘是切直俐落如 data sheet 上的图一般
: 可以告诉小弟我当初的参数或是任何需要注意的点吗
: 以下概述我目前的制程
: -------------我是分隔线-------------
: SU8-3010 cotaing 600 rmp 30 sec
: 1000 rmp 60 sec
: 软烤 100'C 15 min
: 曝光 320 W 7 sec
: 曝後烤 100'C 20 min
: 显影 ( sping ) 600 rmp 30 sec SU8-develop
: 定影 IPA
: --------------分隔线是我--------------
: 这样的制程方式良率不高，且边缘也不不是切直的
: 之前是将就着用，最近发现後制程需要切直才好处理
: 所以上来询问一下各位大大是否有任何建议或经验可以提供
: 首PO请见谅 感谢各位~~
建议可以在soft bake的时间上分成两段
65度 2min
95度 15min
然後曝光时间可以加强1.2~1.5倍(增加SU8分子键结的能力)
曝後烤维持不变
显影的部分我这边是用浸泡的，不像贵单位是旋涂的
这样看有没有帮助
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1F：推 YuShaoChen: 我们当初也是浸泡显影 只是每次不是脱落就是洗不乾净 05/18 18:13
2F：→ YuShaoChen: 所以才考虑用旋涂直接将洗下来的甩开 05/18 18:13
3F：→ sunchloveann: 确实 浸泡或有你说的问题 但只要软烤 曝光 曝後烤 05/18 18:50
4F：→ sunchloveann: 这三个参数抓好 就可以成功显影出 05/18 18:51
5F：→ sunchloveann: 我自己也是试了很多次 才知道结构要漂亮 曝光要长 05/18 18:52
6F：→ sunchloveann: 曝後烤也要有一定的温度 最後显影也要抓得刚刚好 05/18 18:52
7F：→ sunchloveann: 另外我浸泡只要不过显 我会慢慢显好几次 05/18 18:54
8F：→ sunchloveann: 就是显差不多 先取出来看有没有白白的光祖残留 05/18 18:54
9F：→ sunchloveann: 有就在回去显影剂 05/18 18:55
10F：→ sunchloveann: 基本上我不晓得你的IPA定型功用跟我认知的一不一样 05/18 18:55
11F：→ sunchloveann: 一般我是 显差不多 取出 用IPA冲乾净 氮气枪吹乾 05/18 18:56
12F：→ sunchloveann: OM观测图形 没显乾净 继续回显影剂显 05/18 18:57
13F：→ sunchloveann: 有显乾净 就在回IPA洗乾净一点 在吹乾 硬烤 05/18 18:58
14F：→ sunchloveann: 有时候也会看到有同学IPA洗完後 确定OK 就用水洗... 05/18 19:00
15F：→ sunchloveann: 虽然我不建议用水洗 只要有残余显影剂 遇水光阻回烂 05/18 19:02