作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
標題Re: [問題]AZ4620與SU-8-5的製程問題
時間Sat Mar 19 14:40:06 2016
這是多層layer光阻的 delamination
原因是因為你第一層光阻沒烤乾。第二層把第一層封起來後，你軟烤第二層的時候，
原本留在第一層的solvent被封在裡層無處可被蒸散引起的delamination
解決方式是第一層AZ加強硬烤，不用烤到全乾，至少烤到你第二層要軟硬烤的溫度
不會繼續讓第一層的solvent繼續蒸散出來
比起你現在用的參數，多加十分鐘，多加五度或十度(很重要，一定要加)
先用hotplate，然後緊接著放進oven
這樣就會大幅改善。
然後根據改善的程度看看是否要延長時間(溫度不用加了)。一直烤到沒有皺褶出現為止
以上是治標。治本方法也不難。你第一層也改用SU-8就解決了。
這樣就不用多鍍一層銅的隔離層。
但是要注意，用SU-8，只要第一層的solvent烤得不夠乾，delamination一樣會發生
所以要重複第一段的方式去改良
※ 引述《jack30127 (龍)》之銘言：
: 大家好
: 想請為各位有關這兩個光阻製程上問題
: 目前我的結構為
: 第一層:
: 8um的AZ4620
: 將pattern後的圖形Cu電鍍起來
: 第二層:
: 蒸鍍上一層Cu種子層後
: 塗布5um的SU-8-5
: pattern顯影後的圖形會在第一層鍍起來的Cu上
: 然後想請問各位的問題在這邊
: 由於我的SU-8顯影液是使用MicroChem原廠的顯影液
: 這顯影液會破壞AZ4620
: 所以我才會在第一層跟第二層中間鋪Cu種子層來擋
: 而我SU-8的soft bake參數如下
: 65度C 1min 後 95度C 3min
: 但我在95度C軟烤不到一分鐘時
: 第一層4620的表面就會開始收縮皺褶
: 導致拿來阻擋用的Cu種子層皺褶裂開
: 所以在顯影SU-8時顯影液會滲漏到下面破壞掉4620
: 會影響到我之後第二層的製作
: 目前試過一開始就先將4620烤乾一點
: 但也是一樣皺褶嚴重沒有作用
: 所以想請問各位
: 有沒有甚麼方法能讓我的4620不會收縮皺褶
: 或者有沒有其他顯影液能當SU-8的顯影液且不會破壞到4620的
: 目前能馬上取的只有顯影液AD10與AD238
: 不好意思
: 麻煩各位了~~~
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※ 編輯: SkyLark2001 (67.183.140.91), 03/19/2016 14:43:00
1F：推 jack30127: 謝謝你的建議~那我再多烤一點試試看 03/19 20:19
2F：→ jack30127: 但因為目前我已經有測試過第一層AZ用 03/19 20:20
3F：→ jack30127: 110度烤三分鐘 軟烤 但依舊發生同樣的情況 03/19 20:21
4F：→ jack30127: 而且我第一層的AZ在最後元件完成後會去除 03/19 20:21
5F：→ jack30127: 所以一開始在式的時候不太烤太乾 怕到時無法去除 03/19 20:22
6F：→ jack30127: 所以你建議我第一層也是用SU8可能就不行了 03/19 20:23
7F：→ jack30127: (第二層的SU8在元件完成後要留下來) 03/19 20:23
8F：→ jack30127: 但還是非常謝謝你的建議~~~~ 03/19 20:24
9F：→ SkyLark2001: SU-8可以用來當犧牲層，請查詢"omnicoat" 03/20 07:34
10F：→ SkyLark2001: AZ烤焦一點會有沒辦法移除乾淨的後果 03/20 07:35
11F：→ SkyLark2001: 另外就是8microns已經算厚光阻了，bake不能只用hot 03/20 07:36
12F：→ SkyLark2001: plate, 烤不到表面。厚光阻要hotplate, oven併用 03/20 07:37
13F：推 jack30127: 謝謝~ 我會去找oven來烘烤看看 03/20 13:13
14F：→ jack30127: 謝謝你寶貴的意見 幫助我這快發瘋的碩二生… 03/20 13:16