作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题]AZ4620与SU-8-5的制程问题
时间Sat Mar 19 14:40:06 2016
这是多层layer光阻的 delamination
原因是因为你第一层光阻没烤乾。第二层把第一层封起来後，你软烤第二层的时候，
原本留在第一层的solvent被封在里层无处可被蒸散引起的delamination
解决方式是第一层AZ加强硬烤，不用烤到全乾，至少烤到你第二层要软硬烤的温度
不会继续让第一层的solvent继续蒸散出来
比起你现在用的参数，多加十分钟，多加五度或十度(很重要，一定要加)
先用hotplate，然後紧接着放进oven
这样就会大幅改善。
然後根据改善的程度看看是否要延长时间(温度不用加了)。一直烤到没有皱褶出现为止
以上是治标。治本方法也不难。你第一层也改用SU-8就解决了。
这样就不用多镀一层铜的隔离层。
但是要注意，用SU-8，只要第一层的solvent烤得不够乾，delamination一样会发生
所以要重复第一段的方式去改良
※ 引述《jack30127 (龙)》之铭言：
: 大家好
: 想请为各位有关这两个光阻制程上问题
: 目前我的结构为
: 第一层:
: 8um的AZ4620
: 将pattern後的图形Cu电镀起来
: 第二层:
: 蒸镀上一层Cu种子层後
: 涂布5um的SU-8-5
: pattern显影後的图形会在第一层镀起来的Cu上
: 然後想请问各位的问题在这边
: 由於我的SU-8显影液是使用MicroChem原厂的显影液
: 这显影液会破坏AZ4620
: 所以我才会在第一层跟第二层中间铺Cu种子层来挡
: 而我SU-8的soft bake参数如下
: 65度C 1min 後 95度C 3min
: 但我在95度C软烤不到一分钟时
: 第一层4620的表面就会开始收缩皱褶
: 导致拿来阻挡用的Cu种子层皱褶裂开
: 所以在显影SU-8时显影液会渗漏到下面破坏掉4620
: 会影响到我之後第二层的制作
: 目前试过一开始就先将4620烤乾一点
: 但也是一样皱褶严重没有作用
: 所以想请问各位
: 有没有甚麽方法能让我的4620不会收缩皱褶
: 或者有没有其他显影液能当SU-8的显影液且不会破坏到4620的
: 目前能马上取的只有显影液AD10与AD238
: 不好意思
: 麻烦各位了~~~
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 67.183.140.91
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※ 编辑: SkyLark2001 (67.183.140.91), 03/19/2016 14:43:00
1F：推 jack30127: 谢谢你的建议~那我再多烤一点试试看 03/19 20:19
2F：→ jack30127: 但因为目前我已经有测试过第一层AZ用 03/19 20:20
3F：→ jack30127: 110度烤三分钟 软烤 但依旧发生同样的情况 03/19 20:21
4F：→ jack30127: 而且我第一层的AZ在最後元件完成後会去除 03/19 20:21
5F：→ jack30127: 所以一开始在式的时候不太烤太乾 怕到时无法去除 03/19 20:22
6F：→ jack30127: 所以你建议我第一层也是用SU8可能就不行了 03/19 20:23
7F：→ jack30127: (第二层的SU8在元件完成後要留下来) 03/19 20:23
8F：→ jack30127: 但还是非常谢谢你的建议~~~~ 03/19 20:24
9F：→ SkyLark2001: SU-8可以用来当牺牲层，请查询"omnicoat" 03/20 07:34
10F：→ SkyLark2001: AZ烤焦一点会有没办法移除乾净的後果 03/20 07:35
11F：→ SkyLark2001: 另外就是8microns已经算厚光阻了，bake不能只用hot 03/20 07:36
12F：→ SkyLark2001: plate, 烤不到表面。厚光阻要hotplate, oven并用 03/20 07:37
13F：推 jack30127: 谢谢~ 我会去找oven来烘烤看看 03/20 13:13
14F：→ jack30127: 谢谢你宝贵的意见 帮助我这快发疯的硕二生… 03/20 13:16