大家好 想請為各位有關這兩個光阻製程上問題 目前我的結構為 第一層: 8um的AZ4620 將pattern後的圖形Cu電鍍起來 第二層: 蒸鍍上一層Cu種子層後 塗布5um的SU-8-5 pattern顯影後的圖形會在第一層鍍起來的Cu上 然後想請問各位的問題在這邊 由於我的SU-8顯影液是使用MicroChem原廠的顯影液 這顯影液會破壞AZ4620 所以我才會在第一層跟第二層中間鋪Cu種子層來擋 而我SU-8的soft bake參數如下 65度C 1min 後 95度C 3min 但我在95度C軟烤不到一分鐘時 第一層4620的表面就會開始收縮皺褶 導致拿來阻擋用的Cu種子層皺褶裂開 所以在顯影SU-8時顯影液會滲漏到下面破壞掉4620 會影響到我之後第二層的製作 目前試過一開始就先將4620烤乾一點 但也是一樣皺褶嚴重沒有作用 所以想請問各位 有沒有甚麼方法能讓我的4620不會收縮皺褶 或者有沒有其他顯影液能當SU-8的顯影液且不會破壞到4620的 目前能馬上取的只有顯影液AD10與AD238 不好意思 麻煩各位了~~~ --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.117.156.77 ※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/NEMS/M.1458305690.A.213.html