大家好 想请为各位有关这两个光阻制程上问题 目前我的结构为 第一层: 8um的AZ4620 将pattern後的图形Cu电镀起来 第二层: 蒸镀上一层Cu种子层後 涂布5um的SU-8-5 pattern显影後的图形会在第一层镀起来的Cu上 然後想请问各位的问题在这边 由於我的SU-8显影液是使用MicroChem原厂的显影液 这显影液会破坏AZ4620 所以我才会在第一层跟第二层中间铺Cu种子层来挡 而我SU-8的soft bake参数如下 65度C 1min 後 95度C 3min 但我在95度C软烤不到一分钟时 第一层4620的表面就会开始收缩皱褶 导致拿来阻挡用的Cu种子层皱褶裂开 所以在显影SU-8时显影液会渗漏到下面破坏掉4620 会影响到我之後第二层的制作 目前试过一开始就先将4620烤乾一点 但也是一样皱褶严重没有作用 所以想请问各位 有没有甚麽方法能让我的4620不会收缩皱褶 或者有没有其他显影液能当SU-8的显影液且不会破坏到4620的 目前能马上取的只有显影液AD10与AD238 不好意思 麻烦各位了~~~ --

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