作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
標題Re: [問題]RIE SiO2 蝕刻問題
時間Thu Jan 1 10:01:10 2015
※ 引述《ronny61307 (小隆)》之銘言：
: 小弟魯蛇，製程實驗一直撞牆
: 想請教各位大大可否幫我看看製程實驗中間有沒有出現甚麼問題
: 我們是想要做出SiO2微結構在矽晶圓上
: 我們已有3um的SiO2氧化層在矽晶圓上
: 光阻為S1813 塗佈完厚度約2um
: 顯影完後有清楚的看到我們需要的圖案
: 但最後在打RIE時
: 機台設定:功率:100W CF4:60sccm 時間:40mins 結果:約0.2um高
: 光罩圖案最小為2um 間距最小8um
: 希望能夠用RIE吃到2um的高度，不知可不可行?
: 或是有甚麼改善的方法
: 拜託各位高手了，感激不盡!!!!!!!!!
有一種東西叫做selectivity。在一般RIE的參數中光阻跟silicon (oxide/nitride)
的選擇比不高，四十分鐘的RIE，依照你的power以及sccm,我覺得你的光阻早就都被
吃光了。
若是你的光阻無法承受40分鐘的RIE，那可行方式有兩種，
一種改用厚光阻，增加厚度到6-10um以上。另一種方式改用wet etching,
用現在的黃光，把wafer放進BOE裡面，小心控制時間，仔細推算蝕刻速率，找出最接近
2um的時間
我會先採用wet etching的方式。省錢又速度超快。只不過etch rate很難控制
以及undercut 看你能不能接受這樣
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※ 編輯: SkyLark2001 (50.159.95.220), 01/02/2015 04:42:42
1F：推 ronny61307: 有使用過濕蝕刻，但因最小的圖案只有1um所以很容易發 01/05 19:53
2F：→ ronny61307: 生底切，只有較大的圖有做出來（10um以上）。下次加厚 01/05 19:53
3F：→ ronny61307: 光阻再試試！ 01/05 19:54
4F：→ CJChang: 建議可以試著找尋AOE(anisotropic oxide etching)-RIE 02/06 15:51
5F：→ CJChang: AOE形式的RIE造成的底切很小 不會造成尺寸差異過大現象 02/06 15:53