作者ronny61307 (小隆)
看板NEMS
標題[問題]RIE SiO2 蝕刻問題
時間Mon Dec 22 17:53:26 2014
小弟魯蛇，製程實驗一直撞牆
想請教各位大大可否幫我看看製程實驗中間有沒有出現甚麼問題
我們是想要做出SiO2微結構在矽晶圓上
我們已有3um的SiO2氧化層在矽晶圓上
光阻為S1813 塗佈完厚度約2um
顯影完後有清楚的看到我們需要的圖案
但最後在打RIE時
機台設定:功率:100W CF4:60sccm 時間:40mins 結果:約0.2um高
光罩圖案最小為2um 間距最小8um
希望能夠用RIE吃到2um的高度，不知可不可行?
或是有甚麼改善的方法
拜託各位高手了，感激不盡!!!!!!!!!
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1F：推 heats: Bias呢？ 12/24 02:09
2F：→ ronny61307: Bias為0 01/02 00:30
3F：→ tyt107: 試看看其他的材料當Hotmask，例如鋁等等 03/23 11:40
4F：推 Amitopho: 建議 用厚光阻搭低功率去蝕刻 試試看 09/09 06:31