作者ronny61307 (小隆)
看板NEMS
标题[问题]RIE SiO2 蚀刻问题
时间Mon Dec 22 17:53:26 2014
小弟鲁蛇，制程实验一直撞墙
想请教各位大大可否帮我看看制程实验中间有没有出现甚麽问题
我们是想要做出SiO2微结构在矽晶圆上
我们已有3um的SiO2氧化层在矽晶圆上
光阻为S1813 涂布完厚度约2um
显影完後有清楚的看到我们需要的图案
但最後在打RIE时
机台设定:功率:100W CF4:60sccm 时间:40mins 结果:约0.2um高
光罩图案最小为2um 间距最小8um
希望能够用RIE吃到2um的高度，不知可不可行?
或是有甚麽改善的方法
拜托各位高手了，感激不尽!!!!!!!!!
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1F：推 heats: Bias呢？ 12/24 02:09
2F：→ ronny61307: Bias为0 01/02 00:30
3F：→ tyt107: 试看看其他的材料当Hotmask，例如铝等等 03/23 11:40
4F：推 Amitopho: 建议 用厚光阻搭低功率去蚀刻 试试看 09/09 06:31