作者james9051518 (Broken)
看板NEMS
標題[問題] 微米圓洞陣列製作及PDMS翻模疑問
時間Tue Dec 2 18:01:15 2014
小弟第一次在此版PO文,且對於此領域並不是很熟, 希望各位不吝指教
目前想做一片wafer,上面是直徑1~2um的圓洞陣列,間距也是1~2um
比較麻煩的是深度要10um,因此深寬比大約為5~10
之後會再用PDMS翻模成直徑1~2um的微米柱陣列
有幾個問題想請教:
(1) wafer的部分請問用黃光製程還是e-beam會比較合適呢?
因為整個Pattern需要佔至少3cm*3cm的面積
是否用黃光製程花費會比較少呢?
另外10um的深度是否需要用特殊的光罩或光阻?
(2) 有搜尋過去幾篇PDMS翻模的文章,但好像沒有深寬比這麼高的
想請問若讓PDMS夠軟且配合脫模劑的情況下是否能成功翻模呢?
如果斷在wafer裡是否有機會把它弄出來?
謝謝各位!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.114.18.17
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1F：推 SkyLark2001: 如果你光罩解析度(最小線寬)只有2um，你又沒有投影式 12/09 05:08
2F：→ SkyLark2001: 曝光機，那你就只能用EBL沒的選。用EBL的話可以長 12/09 05:09
3F：→ SkyLark2001: oxide, 這樣理論上撐10um沒問題 12/09 05:09
4F：推 kingice1016: 10um深度 你不如直接用光阻翻模就好了 黃光可以試試 12/19 01:25