作者james9051518 (Broken)
看板NEMS
标题[问题] 微米圆洞阵列制作及PDMS翻模疑问
时间Tue Dec 2 18:01:15 2014
小弟第一次在此版PO文,且对於此领域并不是很熟, 希望各位不吝指教
目前想做一片wafer,上面是直径1~2um的圆洞阵列,间距也是1~2um
比较麻烦的是深度要10um,因此深宽比大约为5~10
之後会再用PDMS翻模成直径1~2um的微米柱阵列
有几个问题想请教:
(1) wafer的部分请问用黄光制程还是e-beam会比较合适呢?
因为整个Pattern需要占至少3cm*3cm的面积
是否用黄光制程花费会比较少呢?
另外10um的深度是否需要用特殊的光罩或光阻?
(2) 有搜寻过去几篇PDMS翻模的文章,但好像没有深宽比这麽高的
想请问若让PDMS够软且配合脱模剂的情况下是否能成功翻模呢?
如果断在wafer里是否有机会把它弄出来?
谢谢各位!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 140.114.18.17
※ 文章网址: http://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/NEMS/M.1417514477.A.C15.html
1F：推 SkyLark2001: 如果你光罩解析度(最小线宽)只有2um，你又没有投影式 12/09 05:08
2F：→ SkyLark2001: 曝光机，那你就只能用EBL没的选。用EBL的话可以长 12/09 05:09
3F：→ SkyLark2001: oxide, 这样理论上撑10um没问题 12/09 05:09
4F：推 kingice1016: 10um深度 你不如直接用光阻翻模就好了 黄光可以试试 12/19 01:25