作者kevinlee49 (杰)
看板NEMS
標題[問題] 在PDMS上製作金電極
時間Sun Jun 29 22:23:11 2014
如題
小弟想要把厚度50nm寬度2um的金電極放到PDMS基板上
過去嘗試過的方法是用PMMA配合E beam lithography
在InP的基板上定義出Pattern
之後再用e-gun蒸鍍50nm的金在InP上lift off
之後再灌上10:1的PDMS 150度烤乾
再放到HCl裡面選擇蝕刻InP
可是蝕刻完以後的結果都很悲慘
很多金電極都脫落
過去做1um以下的金結構用同樣的製程方法都很成功,但是超過1um的pattern
就都很失敗
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1F：推 jeffdon2:可以先將金電極用lift off作在Si wafer上，再將 06/29 22:28
2F：→ jeffdon2:(3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane改質在金電極上 06/29 22:29
3F：→ jeffdon2:最後灌上PDMS，固化後掀起，金電極就直接在PDMS上了 06/29 22:30
4F：→ kevinlee49:3MPT這個方法我有試過,不過一樣是用InP基板,結果失敗 06/29 22:45
5F：→ kevinlee49:多問個問題...如果說在Si上用PMMA做金lift-off... 06/29 22:46
6F：→ kevinlee49:會不會一灌ACE就造成整個PATTERN全部飄掉? 06/29 22:46
7F：→ kevinlee49:3MPT改質方法是直接泡一小時然後用酒精rinse跟吹乾? 06/29 23:01
8F：推 jeffdon2:我記得這個方法的原文在 advanced materials上，並且有提 06/29 23:01
9F：→ jeffdon2:必須用顯影液過度顯影的方式去容掉光阻，不然pattern 06/29 23:03
10F：→ jeffdon2:確實會容易脫落 06/29 23:03
11F：→ jeffdon2:3MPT我是都用氣相改質 06/29 23:04
12F：→ jeffdon2:用液相的話有可能因為溶液吹乾時的動作造成pattern剝離 06/29 23:06
13F：→ kevinlee49:所以你的意思是說我鍍完金以後,不要直接泡ACE? 06/29 23:13
14F：→ kevinlee49:改用MIBK顯影液吃掉光阻一些,此時再泡ACE或是去光阻劑? 06/29 23:14
15F：→ kevinlee49:氣相改質是什麼儀器可以指點一下嗎?感謝 06/29 23:16
16F：推 jeffdon2:就把3MPT滴在小容器內跟試片一起放入真空皿內抽真空 06/29 23:24
17F：→ jeffdon2:大約30分鐘後，再把氣閥轉成維持真空的狀態約12hr再取出 06/29 23:26
18F：→ kevinlee49:用純的MPT還是有用其他有機液體稀釋? 06/29 23:28
19F：→ jeffdon2:反正就是利用過度顯影的方式去除光阻而不要用丙酮 06/29 23:28
20F：→ jeffdon2:純的3MPT 06/29 23:29
21F：→ kevinlee49:可是過度顯影到最後應該還是要用ACE撥除剩下的部分吧? 06/29 23:31
22F：→ kevinlee49:還是說真的是用顯影液泡到全部消失? 06/29 23:32
23F：推 s75287:我好奇問一下 這些做法 是不是 PDMS變形一下 金電極就斷了 07/02 00:04
24F：推 s75287:我學長有這樣的問題.... 07/02 00:04
25F：→ kevinlee49:基本上我試過dry peel off 電極會有皺褶 但是有導通 07/15 23:49