作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
標題Re: [問題] 關於矽晶圓等級和氧化層厚度問題
時間Mon Apr 28 13:10:32 2014
矽晶圓的級別
Prime grade:
品質最佳,適用於幾乎大部分主要IC類的製造,以及各類最先進的製程
內部幾乎無缺陷存在
test grade:
學術研究中普遍使用,價格與品質的折衷。有一大部分是製造矽晶圓後若品直無法通過
prime grade測試,便會標記為test grade。
還有一種折中的叫EPi wafer
會在晶圓表面deposit 一層epi layer,讓晶圓表面更平更無缺陷
※ 引述《zenk9980 (包子)》之銘言:
: 各位先進們好
: 小弟想請教一下4吋矽晶圓在購買時業務說有分等級
: 最高是prime ,最陽春的是test
: 想請問一下這兩種矽晶圓的差別?因為價差一倍
: 業務也不知道明確的差在哪裡
: 另外因為小弟買這Wafer是要做FET元件使用
: 應該是用prime比較好還是test?
: FET的氧化層厚度一般來說鍍多少奈米會比較好呢
: (之前的學長是用270nm 的SiO2)?
: 查了一些文獻也都大概在 300 nm
: 不過因為沒有做過所以上來請教
: 不好意思麻煩大家了.謝謝
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本球隊一切依法行政,謝謝指教。
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1F:→ zenk9980:超詳細的說明.感謝Sky大為小弟解惑.謝謝您 04/28 22:52