作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题] 关於矽晶圆等级和氧化层厚度问题
时间Mon Apr 28 13:10:32 2014
矽晶圆的级别
Prime grade:
品质最佳,适用於几乎大部分主要IC类的制造,以及各类最先进的制程
内部几乎无缺陷存在
test grade:
学术研究中普遍使用,价格与品质的折衷。有一大部分是制造矽晶圆後若品直无法通过
prime grade测试,便会标记为test grade。
还有一种折中的叫EPi wafer
会在晶圆表面deposit 一层epi layer,让晶圆表面更平更无缺陷
※ 引述《zenk9980 (包子)》之铭言:
: 各位先进们好
: 小弟想请教一下4寸矽晶圆在购买时业务说有分等级
: 最高是prime ,最阳春的是test
: 想请问一下这两种矽晶圆的差别?因为价差一倍
: 业务也不知道明确的差在哪里
: 另外因为小弟买这Wafer是要做FET元件使用
: 应该是用prime比较好还是test?
: FET的氧化层厚度一般来说镀多少奈米会比较好呢
: (之前的学长是用270nm 的SiO2)?
: 查了一些文献也都大概在 300 nm
: 不过因为没有做过所以上来请教
: 不好意思麻烦大家了.谢谢
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本球队一切依法行政,谢谢指教。
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1F:→ zenk9980:超详细的说明.感谢Sky大为小弟解惑.谢谢您 04/28 22:52