※ 引述《NightMoon33 (夜月)》之銘言： : ※ 引述《uehara19k ()》之銘言： : : 各位大大好 : : 我的材料是四族 : : 深寬比約0.1 : : 使用的光阻是AZ5214(2000rpm) : : post bake 150度10min(hot plate) : : RIE用的氣體是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%) : : RF power 30w : : 目前吃出來的圖形總是會呈現梯形___◢████████◣___ : : 離老師要求的垂直側壁 ___██████████___ : : 還差很遠Orz : : 請問我該如何改進才能達到我的要求呢?? : : 抱歉這問題可能有點淺，但我念機械出身半導體製程實在很苦手... : : 麻煩各位解答了 : 原po你好，我碩士班也有花了數個月測試RIE蝕刻的側壁筆直性 : 不過我的深寬比是1.67，深度約250 nm，寬度約 150 nm，而且我蝕刻的是介電質材料 : 希望一些經驗可以幫到你 : 那時候的學長是說化學蝕刻氣體"比例"千萬不能動，化學氣體比例是影響最劇烈的 : 在這裡指的就是CF4和O2兩個氣體的比例千萬不要動 : 再來是製程真空度，一般來說，如果側壁要越筆直，則真空度就要越低 : 所以我當初是設定RIE機台的最低真空度: 20 mTorr : 不過真空度會容易造成光阻被轟擊的更劇烈，所以要特別考慮選擇比和光阻去除的問題 : 如果調低真空度測試過還是不行的話，再去調動Ar和RF Power : 調動Ar可以增加化學性蝕刻，但是光阻也更容易被轟擊 : 而調動RF Power是控制氣體的解離量 : 如果我是你，我會先以原有的參數並調低製程真空度到機台最低範圍 : 如果不行再微調氣體流量 : 作個Ar 15%和RF Power 25W、40W : 這樣交叉組合大概會作3個測試實驗 : 從中取側壁角度最大的參數再繼續往那方向作修改 : 希望可以幫助到你，祝你早日實驗成功~ 原po那個是削角，頂部尖角被削掉了，而不是側壁傾斜 基本上那是Bias太高了，或是一開始光阻尖角部分就被轟圓了 所以說不定要反其道而行，拉高氣壓 或是減少Ar，降低物理性轟擊 如果因此造成側壁傾斜，再去調整C/F比 如果是ICP/TCP我會建議拉高Top power，降低Bias 還有，先去查黃光，我會懷疑曝光時間與顯影時間太長 頂端尖角本來就不夠強壯 在底部不出現footing的狀況下，減少這兩個時間 --

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