※ 引述《NightMoon33 (夜月)》之铭言： : ※ 引述《uehara19k ()》之铭言： : : 各位大大好 : : 我的材料是四族 : : 深宽比约0.1 : : 使用的光阻是AZ5214(2000rpm) : : post bake 150度10min(hot plate) : : RIE用的气体是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%) : : RF power 30w : : 目前吃出来的图形总是会呈现梯形___◢████████◣___ : : 离老师要求的垂直侧壁 ___██████████___ : : 还差很远Orz : : 请问我该如何改进才能达到我的要求呢?? : : 抱歉这问题可能有点浅，但我念机械出身半导体制程实在很苦手... : : 麻烦各位解答了 : 原po你好，我硕士班也有花了数个月测试RIE蚀刻的侧壁笔直性 : 不过我的深宽比是1.67，深度约250 nm，宽度约 150 nm，而且我蚀刻的是介电质材料 : 希望一些经验可以帮到你 : 那时候的学长是说化学蚀刻气体"比例"千万不能动，化学气体比例是影响最剧烈的 : 在这里指的就是CF4和O2两个气体的比例千万不要动 : 再来是制程真空度，一般来说，如果侧壁要越笔直，则真空度就要越低 : 所以我当初是设定RIE机台的最低真空度: 20 mTorr : 不过真空度会容易造成光阻被轰击的更剧烈，所以要特别考虑选择比和光阻去除的问题 : 如果调低真空度测试过还是不行的话，再去调动Ar和RF Power : 调动Ar可以增加化学性蚀刻，但是光阻也更容易被轰击 : 而调动RF Power是控制气体的解离量 : 如果我是你，我会先以原有的参数并调低制程真空度到机台最低范围 : 如果不行再微调气体流量 : 作个Ar 15%和RF Power 25W、40W : 这样交叉组合大概会作3个测试实验 : 从中取侧壁角度最大的参数再继续往那方向作修改 : 希望可以帮助到你，祝你早日实验成功~ 原po那个是削角，顶部尖角被削掉了，而不是侧壁倾斜 基本上那是Bias太高了，或是一开始光阻尖角部分就被轰圆了 所以说不定要反其道而行，拉高气压 或是减少Ar，降低物理性轰击 如果因此造成侧壁倾斜，再去调整C/F比 如果是ICP/TCP我会建议拉高Top power，降低Bias 还有，先去查黄光，我会怀疑曝光时间与显影时间太长 顶端尖角本来就不够强壮 在底部不出现footing的状况下，减少这两个时间 --

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