※ 引述《YamadaRyo (亞嘛搭六)》之銘言： : 只是一個簡單的小問題 : http://ppt.cc/0OF3 : 為什麼b到c 就可以直接pattern (如果可直接 那這個步驟的名稱式也叫做蝕刻嗎) 此處材料為Polysilicon, 在MEMS製程中並不會直接加工成型 MEMS發展至今除了少數情況下可用特殊雷射直接在特定材料上加工成型之外， 或是一些更特殊的self assembly之外， 都需要先由黃光定義圖形後，用(減法的)蝕刻或是用(加法的)鍍膜後liftoff來達到 patterning的目的 在此如何稱呼端看你的選擇。更精準的描述是，此處步驟是以"蝕刻"的"方式"來達到 "patterning"的"目的"。 : 而f到i就要先塗光阻然後光刻再蝕刻? : 還是b到c只是圖片簡化光刻的部分? : 麻煩解答 謝謝!! 沒錯，因為此圖是給已具備基礎MEMS理解力的人看的，所以b至c已相當直觀，可省略。 而f至i 原本亦可省略，但由於相比之下b至c為平面thin film的patterning較易理解， 而f至i 步驟為3D結構成型，怕讀者混淆固將詳細步驟列出。 可參考hinge microfabrication的經典paper http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/092442479280172Y 只列出三個步驟 -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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