※ 引述《YamadaRyo (亚嘛搭六)》之铭言： : 只是一个简单的小问题 : http://ppt.cc/0OF3 : 为什麽b到c 就可以直接pattern (如果可直接 那这个步骤的名称式也叫做蚀刻吗) 此处材料为Polysilicon, 在MEMS制程中并不会直接加工成型 MEMS发展至今除了少数情况下可用特殊雷射直接在特定材料上加工成型之外， 或是一些更特殊的self assembly之外， 都需要先由黄光定义图形後，用(减法的)蚀刻或是用(加法的)镀膜後liftoff来达到 patterning的目的 在此如何称呼端看你的选择。更精准的描述是，此处步骤是以"蚀刻"的"方式"来达到 "patterning"的"目的"。 : 而f到i就要先涂光阻然後光刻再蚀刻? : 还是b到c只是图片简化光刻的部分? : 麻烦解答 谢谢!! 没错，因为此图是给已具备基础MEMS理解力的人看的，所以b至c已相当直观，可省略。 而f至i 原本亦可省略，但由於相比之下b至c为平面thin film的patterning较易理解， 而f至i 步骤为3D结构成型，怕读者混淆固将详细步骤列出。 可参考hinge microfabrication的经典paper http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/092442479280172Y 只列出三个步骤 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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