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http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf AZ P4620的官方(AZ electronic materials公司)package http://nanofab.ece.cmu.edu/resources/AZ_4000_thick.pdf 官方資料針對AZ4000系列(包括P4620)厚光阻的說明 前者你會發現根本沒有hard bake (post bake)的參數 因為就正光阻lithography而言development結束基本就結束了 搭配第二個連結就會知道 hard bake的目的是因應之後的製程來做調整的 所以不會有固定參數。 說實在的hard bake是能免則免的步驟。因為第一造成reflow,小線寬圖案全毀 (硬考完小線寬的正方形都會直接變圓形,直角都會變圓角) 你只要硬考完再拿去顯微鏡下看你圖案的輪廓若是變粗變黑,那基本上都是reflow的 結果。這時候你的光阻側壁都已經融了垮了,不再是垂直的。 第二在oven裡面,由於polymer的氣體分子濃度很高,wafer放進烤箱裡面這些partile 都會redeposition在wafer表面,會造成DRIE形成grass 結論是自己要做trade off考量。若DRIE不深,又很在意圖案漂不漂亮的話不大需要硬烤 若蝕刻深度要很深的話就只好犧牲小線寬圖案,以低於120度的溫度去烤較長時間。但是 強烈建議要用RIE descum。另外第二個連結裡面有針對high tempearture plasma etch 提到所謂UV stablization techniques,有興趣也可以照著玩 -- 本球隊一切依法行政,謝謝指教。 --



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◆ From: 205.175.116.199
1F:推 kevinho0603:感謝這麼精闢的回答,因為我需要把325um的晶圓打穿, 12/06 16:52
2F:→ kevinho0603:應該是需要硬烤,如不硬烤,在打ICP時光阻應該會 12/06 16:55
3F:→ kevinho0603:不夠力吧。所以說硬烤時間要比軟考時間長嗎? 12/06 16:57
4F:→ SkyLark2001:通常AZ selectivity在50-60之間,所以你這厚度差不多 12/11 07:44
5F:→ SkyLark2001:可行,硬烤就真的隨意了,不然你就上網隨便查一個 12/11 07:45
6F:→ SkyLark2001:recipe吧~看看其他人用AZ進DRIE做TSV的參數 12/11 07:46
7F:→ SkyLark2001:我自己是做500microns的TSV,AZ厚度是11microns~ 12/11 07:47
8F:→ SkyLark2001:hardake時間忘了,好像100C 20分鐘在Oven裡面吧~ 12/11 07:48
9F:→ SkyLark2001:但我有做Oxygen descum,而且我的11um後來發現厚度不 12/11 07:50
10F:→ SkyLark2001:夠,大約400多um就被吃完了....selectivity50-60只是 12/11 07:50
11F:→ SkyLark2001:一般預估,還要根據你的DIRE機台,參數,exposure are 12/11 07:51
12F:→ SkyLark2001:area等參數全面考量。所以才跟你說這東西根本沒標準 12/11 07:52
13F:→ SkyLark2001:答案 12/11 07:53
14F:推 kevinho0603:這樣我了解了,感謝你這麼棒的回答:) 12/12 13:32
15F:→ kevinho0603:我想問你提到 RIE descum的部分,我是曝光定義圖案後 12/12 13:46
16F:→ kevinho0603:使用BOE將氧化層吃掉,這樣還有需要使用RIE??? 12/12 13:47
17F:→ SkyLark2001:原來你除了光阻之外還有oxide?那就更不用擔心 12/13 08:15
18F:→ SkyLark2001:oxide的selectivity可以到達120, 100nm的oxide就可以 12/13 08:16
19F:→ SkyLark2001:擋到12um的silicon。另外若你要先進HF就不用descum了 12/13 08:17
20F:→ SkyLark2001:或是你也可以用RIE來etch oxide, 比較方便但花錢 12/13 08:19
21F:推 kevinho0603:謝謝你的回答!!!! 02/06 10:10







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