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http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf AZ P4620的官方(AZ electronic materials公司)package http://nanofab.ece.cmu.edu/resources/AZ_4000_thick.pdf 官方资料针对AZ4000系列(包括P4620)厚光阻的说明 前者你会发现根本没有hard bake (post bake)的参数 因为就正光阻lithography而言development结束基本就结束了 搭配第二个连结就会知道 hard bake的目的是因应之後的制程来做调整的 所以不会有固定参数。 说实在的hard bake是能免则免的步骤。因为第一造成reflow,小线宽图案全毁 (硬考完小线宽的正方形都会直接变圆形,直角都会变圆角) 你只要硬考完再拿去显微镜下看你图案的轮廓若是变粗变黑,那基本上都是reflow的 结果。这时候你的光阻侧壁都已经融了垮了,不再是垂直的。 第二在oven里面,由於polymer的气体分子浓度很高,wafer放进烤箱里面这些partile 都会redeposition在wafer表面,会造成DRIE形成grass 结论是自己要做trade off考量。若DRIE不深,又很在意图案漂不漂亮的话不大需要硬烤 若蚀刻深度要很深的话就只好牺牲小线宽图案,以低於120度的温度去烤较长时间。但是 强烈建议要用RIE descum。另外第二个连结里面有针对high tempearture plasma etch 提到所谓UV stablization techniques,有兴趣也可以照着玩 -- 本球队一切依法行政,谢谢指教。 --



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◆ From: 205.175.116.199
1F:推 kevinho0603:感谢这麽精辟的回答,因为我需要把325um的晶圆打穿, 12/06 16:52
2F:→ kevinho0603:应该是需要硬烤,如不硬烤,在打ICP时光阻应该会 12/06 16:55
3F:→ kevinho0603:不够力吧。所以说硬烤时间要比软考时间长吗? 12/06 16:57
4F:→ SkyLark2001:通常AZ selectivity在50-60之间,所以你这厚度差不多 12/11 07:44
5F:→ SkyLark2001:可行,硬烤就真的随意了,不然你就上网随便查一个 12/11 07:45
6F:→ SkyLark2001:recipe吧~看看其他人用AZ进DRIE做TSV的参数 12/11 07:46
7F:→ SkyLark2001:我自己是做500microns的TSV,AZ厚度是11microns~ 12/11 07:47
8F:→ SkyLark2001:hardake时间忘了,好像100C 20分钟在Oven里面吧~ 12/11 07:48
9F:→ SkyLark2001:但我有做Oxygen descum,而且我的11um後来发现厚度不 12/11 07:50
10F:→ SkyLark2001:够,大约400多um就被吃完了....selectivity50-60只是 12/11 07:50
11F:→ SkyLark2001:一般预估,还要根据你的DIRE机台,参数,exposure are 12/11 07:51
12F:→ SkyLark2001:area等参数全面考量。所以才跟你说这东西根本没标准 12/11 07:52
13F:→ SkyLark2001:答案 12/11 07:53
14F:推 kevinho0603:这样我了解了,感谢你这麽棒的回答:) 12/12 13:32
15F:→ kevinho0603:我想问你提到 RIE descum的部分,我是曝光定义图案後 12/12 13:46
16F:→ kevinho0603:使用BOE将氧化层吃掉,这样还有需要使用RIE??? 12/12 13:47
17F:→ SkyLark2001:原来你除了光阻之外还有oxide?那就更不用担心 12/13 08:15
18F:→ SkyLark2001:oxide的selectivity可以到达120, 100nm的oxide就可以 12/13 08:16
19F:→ SkyLark2001:挡到12um的silicon。另外若你要先进HF就不用descum了 12/13 08:17
20F:→ SkyLark2001:或是你也可以用RIE来etch oxide, 比较方便但花钱 12/13 08:19
21F:推 kevinho0603:谢谢你的回答!!!! 02/06 10:10







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