作者skyghostlove (阿呆)
看板NEMS
標題[問題]MOSFET IDS-VDS曲線 漏電流問題
時間Mon Nov 18 14:09:09 2013
各位好:
目前碰到的問題是MOSFET
IDS-VDS曲線圖形漏電流極大
圖片網址如下
http://ppt.cc/kE-g
圖片中50mA是量測系統限流在50mA,所以正確來說整體呈現電阻趨勢
不管VGS所加偏壓為何?均無開關"關閉"現象發生,也就是一直在導通狀態下
請教各位是製程方面出問題嗎?
謝謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.122.136.3
1F：推 chaos0214:看起來是GATE沒有調變能力 11/18 20:28
2F：→ skyghostlove:請教chaos0214大大 調變能力是gate oxide品質好壞嗎? 11/20 23:30
3F：→ skyghostlove:我是用pecvd長晶或sputter濺鍍的 請問有其他方法嗎? 11/20 23:31
4F：→ skyghostlove:e-gun也試過了,漏電流值仍很大 11/20 23:32
5F：推 Keelungman:How about C-Vg? 11/21 01:22
6F：推 pttresident:你有量transfer curve嗎？還有再量IG嗎？ 11/21 19:20
7F：→ pttresident:如果IG跟ID一樣超大，有可能你gate oxide沒做好 11/21 19:21
8F：→ pttresident:如果IG很小，ID大到儀器限流值，有可能你S/D沒做好 11/21 19:22
9F：→ skyghostlove:我明白了 謝謝各位 11/26 02:09
10F：推 ads80531: 請問原po後來有解決嗎？請問如何處理的？ 11/30 17:41