作者skyghostlove (阿呆)
看板NEMS
标题[问题]MOSFET IDS-VDS曲线 漏电流问题
时间Mon Nov 18 14:09:09 2013
各位好:
目前碰到的问题是MOSFET
IDS-VDS曲线图形漏电流极大
图片网址如下
http://ppt.cc/kE-g
图片中50mA是量测系统限流在50mA,所以正确来说整体呈现电阻趋势
不管VGS所加偏压为何?均无开关"关闭"现象发生,也就是一直在导通状态下
请教各位是制程方面出问题吗?
谢谢
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◆ From: 140.122.136.3
1F：推 chaos0214:看起来是GATE没有调变能力 11/18 20:28
2F：→ skyghostlove:请教chaos0214大大 调变能力是gate oxide品质好坏吗? 11/20 23:30
3F：→ skyghostlove:我是用pecvd长晶或sputter溅镀的 请问有其他方法吗? 11/20 23:31
4F：→ skyghostlove:e-gun也试过了,漏电流值仍很大 11/20 23:32
5F：推 Keelungman:How about C-Vg? 11/21 01:22
6F：推 pttresident:你有量transfer curve吗？还有再量IG吗？ 11/21 19:20
7F：→ pttresident:如果IG跟ID一样超大，有可能你gate oxide没做好 11/21 19:21
8F：→ pttresident:如果IG很小，ID大到仪器限流值，有可能你S/D没做好 11/21 19:22
9F：→ skyghostlove:我明白了 谢谢各位 11/26 02:09
10F：推 ads80531: 请问原po後来有解决吗？请问如何处理的？ 11/30 17:41