不論光阻是否可以清除 其實我覺得鍍出來的鋁是否可以free standing才是問題 thin film本身的機械性質跟bulk金屬的性質比起來差異就不小了 尤其是若是只用PVD 鍍出來幾千Angstrom的金屬，原子排列也跟原本bulk的金屬不同 大家常說鍍膜鍍膜，PVD鍍出來幾千A的厚度的就真的就只是張"膜" 這種"膜"是否可以形成你所想要的3D (或稱2.5D)結構外加cantilever，可能很有疑惑 再加上你是用wet process, 假設真的能夠做出cantilever的結構，但我相信在 wafer放入或是拉出溶液中那些溶液(如acetone)的表面張力要破壞你的結構相當輕而易舉 或是你的cantilever沾黏在substrate上面，就算表面上的溶液都乾了也不會與substrate 分開這類的情況發生 所以我會建議去查paper看前人是否有成功做出這類結構，然後照樣去做就好了。 不然一直做不出來，只從想辦法去除掉光阻這方面著手，萬一是錯誤方向， 會浪費不少時間 RF MEMS裡面有很多做金屬membrane來當switch的相關文獻，你可以參考一下，是否 有單純金屬 cantilever的結構 ※ 引述《LittleBlue21 (廖小藍)》之銘言： : 大家好 : 最近在製程上遇到一些問題 : 於是來請教各位前輩 : 下圖是製程pattern的側面圖 : ▁▁ ▁▁ : ▁▁▁▁▁▁▉ ▉▁▁▁▁▁▁ : Si : 基板是Si+SiO2 : 細線與粗線代表的是金屬鋁 : 形成一個橋狀的懸空結構(與基板之間為中空) : 但中間又有個gap使橋面斷開 : 製做的方法是先在基板塗佈光阻當犧牲層(有用過S1813 及AZ4620) : 光阻曝光顯影後整個sample進行鋁金屬鍍膜(有用過e beam及sputter) : 接著再用第二道光阻來定義蝕刻區,透過鋁的蝕刻液來吃出如圖的gap : 之後泡丙酮來洗去所有的光阻來達成下方懸空 : 問題是我在最後的步驟卻無法洗去第一層的犧牲層光阻 : 因為有確認過中間每一個步驟 : (兩道曝光顯影及鋁蝕刻液的溼蝕刻在顯微鏡下都沒有異常) : 但如果直接整片拿去震洗又會損毀結構 : 有猜想會不會是e beam鍍膜過程使光阻變化不易清除 : 因此也有試過sputter的方式鍍鋁 : 雖然情況有改善但也無法完全清除犧牲層光阻 : 而且有時泡完ACE,橋面的鋁也會整片脫落 : 爬文雖然看到不少Lift off相關文章 : 卻好像沒發現與我類似的情況 : 也有試過O2 plasma,但非等向性的特性還是不能使正下方的光阻清除 : 另外因為之前用的S1813是薄光阻,我有想過加厚犧牲層的厚度(10um以上) : 不曉得這樣的方式能不能有所改善 : 但每次泡ACE時還是戰戰兢兢 : 有沒有人能給我一些建議呢? : 一直無法突破真的很令人洩氣 : 謝謝各位 -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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