不论光阻是否可以清除 其实我觉得镀出来的铝是否可以free standing才是问题 thin film本身的机械性质跟bulk金属的性质比起来差异就不小了 尤其是若是只用PVD 镀出来几千Angstrom的金属，原子排列也跟原本bulk的金属不同 大家常说镀膜镀膜，PVD镀出来几千A的厚度的就真的就只是张"膜" 这种"膜"是否可以形成你所想要的3D (或称2.5D)结构外加cantilever，可能很有疑惑 再加上你是用wet process, 假设真的能够做出cantilever的结构，但我相信在 wafer放入或是拉出溶液中那些溶液(如acetone)的表面张力要破坏你的结构相当轻而易举 或是你的cantilever沾黏在substrate上面，就算表面上的溶液都乾了也不会与substrate 分开这类的情况发生 所以我会建议去查paper看前人是否有成功做出这类结构，然後照样去做就好了。 不然一直做不出来，只从想办法去除掉光阻这方面着手，万一是错误方向， 会浪费不少时间 RF MEMS里面有很多做金属membrane来当switch的相关文献，你可以参考一下，是否 有单纯金属 cantilever的结构 ※ 引述《LittleBlue21 (廖小蓝)》之铭言： : 大家好 : 最近在制程上遇到一些问题 : 於是来请教各位前辈 : 下图是制程pattern的侧面图 : ▁▁ ▁▁ : ▁▁▁▁▁▁▉ ▉▁▁▁▁▁▁ : Si : 基板是Si+SiO2 : 细线与粗线代表的是金属铝 : 形成一个桥状的悬空结构(与基板之间为中空) : 但中间又有个gap使桥面断开 : 制做的方法是先在基板涂布光阻当牺牲层(有用过S1813 及AZ4620) : 光阻曝光显影後整个sample进行铝金属镀膜(有用过e beam及sputter) : 接着再用第二道光阻来定义蚀刻区,透过铝的蚀刻液来吃出如图的gap : 之後泡丙酮来洗去所有的光阻来达成下方悬空 : 问题是我在最後的步骤却无法洗去第一层的牺牲层光阻 : 因为有确认过中间每一个步骤 : (两道曝光显影及铝蚀刻液的湿蚀刻在显微镜下都没有异常) : 但如果直接整片拿去震洗又会损毁结构 : 有猜想会不会是e beam镀膜过程使光阻变化不易清除 : 因此也有试过sputter的方式镀铝 : 虽然情况有改善但也无法完全清除牺牲层光阻 : 而且有时泡完ACE,桥面的铝也会整片脱落 : 爬文虽然看到不少Lift off相关文章 : 却好像没发现与我类似的情况 : 也有试过O2 plasma,但非等向性的特性还是不能使正下方的光阻清除 : 另外因为之前用的S1813是薄光阻,我有想过加厚牺牲层的厚度(10um以上) : 不晓得这样的方式能不能有所改善 : 但每次泡ACE时还是战战兢兢 : 有没有人能给我一些建议呢? : 一直无法突破真的很令人泄气 : 谢谢各位 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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