大家好 最近在製程上遇到一些問題 於是來請教各位前輩 下圖是製程pattern的側面圖 ▁▁ ▁▁ ▁▁▁▁▁▁▉ ▉▁▁▁▁▁▁ Si 基板是Si+SiO2 細線與粗線代表的是金屬鋁 形成一個橋狀的懸空結構(與基板之間為中空) 但中間又有個gap使橋面斷開 製做的方法是先在基板塗佈光阻當犧牲層(有用過S1813 及AZ4620) 光阻曝光顯影後整個sample進行鋁金屬鍍膜(有用過e beam及sputter) 接著再用第二道光阻來定義蝕刻區,透過鋁的蝕刻液來吃出如圖的gap 之後泡丙酮來洗去所有的光阻來達成下方懸空 問題是我在最後的步驟卻無法洗去第一層的犧牲層光阻 因為有確認過中間每一個步驟 (兩道曝光顯影及鋁蝕刻液的溼蝕刻在顯微鏡下都沒有異常) 但如果直接整片拿去震洗又會損毀結構 有猜想會不會是e beam鍍膜過程使光阻變化不易清除 因此也有試過sputter的方式鍍鋁 雖然情況有改善但也無法完全清除犧牲層光阻 而且有時泡完ACE,橋面的鋁也會整片脫落 爬文雖然看到不少Lift off相關文章 卻好像沒發現與我類似的情況 也有試過O2 plasma,但非等向性的特性還是不能使正下方的光阻清除 另外因為之前用的S1813是薄光阻,我有想過加厚犧牲層的厚度(10um以上) 不曉得這樣的方式能不能有所改善 但每次泡ACE時還是戰戰兢兢 有沒有人能給我一些建議呢? 一直無法突破真的很令人洩氣 謝謝各位 --

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