大家好 最近在制程上遇到一些问题 於是来请教各位前辈 下图是制程pattern的侧面图 ▁▁ ▁▁ ▁▁▁▁▁▁▉ ▉▁▁▁▁▁▁ Si 基板是Si+SiO2 细线与粗线代表的是金属铝 形成一个桥状的悬空结构(与基板之间为中空) 但中间又有个gap使桥面断开 制做的方法是先在基板涂布光阻当牺牲层(有用过S1813 及AZ4620) 光阻曝光显影後整个sample进行铝金属镀膜(有用过e beam及sputter) 接着再用第二道光阻来定义蚀刻区,透过铝的蚀刻液来吃出如图的gap 之後泡丙酮来洗去所有的光阻来达成下方悬空 问题是我在最後的步骤却无法洗去第一层的牺牲层光阻 因为有确认过中间每一个步骤 (两道曝光显影及铝蚀刻液的湿蚀刻在显微镜下都没有异常) 但如果直接整片拿去震洗又会损毁结构 有猜想会不会是e beam镀膜过程使光阻变化不易清除 因此也有试过sputter的方式镀铝 虽然情况有改善但也无法完全清除牺牲层光阻 而且有时泡完ACE,桥面的铝也会整片脱落 爬文虽然看到不少Lift off相关文章 却好像没发现与我类似的情况 也有试过O2 plasma,但非等向性的特性还是不能使正下方的光阻清除 另外因为之前用的S1813是薄光阻,我有想过加厚牺牲层的厚度(10um以上) 不晓得这样的方式能不能有所改善 但每次泡ACE时还是战战兢兢 有没有人能给我一些建议呢? 一直无法突破真的很令人泄气 谢谢各位 --

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