小弟目前實驗室遇到如下的狀況，想要請問板上各位大神 預計使用SU-8系列中最薄的2這支負光阻， 顯出來的圖案想要遮蓋下方的石墨烯薄膜， 利用乾蝕刻(氧電漿)做出mesa 步驟如下， Si/SiO2基板 Ace,IPA,DI-water各震洗5 min 200度西烤乾,放5min降溫 塗佈SU-8 2 step1:15s/1000rpm step2:30s/4000rpm 軟烤 65度西 120s,換另外一個烤盤, 95度西 180s 曝光 6.5 mW/10s 曝後烤(同軟烤) 65度西 120s,換另外一個烤盤, 95度西 180s 放5 min降溫 顯影(SU-8 developer) 浸入液中靜置 60s後,取出浸入IPA 5~10s(檢查有無顯影完畢) 氮槍微風吹乾,看OM 這樣的參數嘗試了幾片,曾出現過顯影後完整的圖案飄起,或者歪掉,扭曲 感覺上是光阻與基板的附著性很差,不知道是否是曝光時間不足,還是烤的時間不夠? 或者是哪邊出了問題,還請各位神人給點建議,感謝!!! 另外有個疑問是,SU-8適合拿來做mesa的掩蔽物嗎? 因為SU-8去除的動作滿麻煩的,泡Remover PG(50~80度西) 過IPA再過水吹乾 沒有使用一般光阻來的方便(泡Ace,IPA,DI-water即可) --

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