小弟目前实验室遇到如下的状况，想要请问板上各位大神 预计使用SU-8系列中最薄的2这支负光阻， 显出来的图案想要遮盖下方的石墨烯薄膜， 利用乾蚀刻(氧电浆)做出mesa 步骤如下， Si/SiO2基板 Ace,IPA,DI-water各震洗5 min 200度西烤乾,放5min降温 涂布SU-8 2 step1:15s/1000rpm step2:30s/4000rpm 软烤 65度西 120s,换另外一个烤盘, 95度西 180s 曝光 6.5 mW/10s 曝後烤(同软烤) 65度西 120s,换另外一个烤盘, 95度西 180s 放5 min降温 显影(SU-8 developer) 浸入液中静置 60s後,取出浸入IPA 5~10s(检查有无显影完毕) 氮枪微风吹乾,看OM 这样的参数尝试了几片,曾出现过显影後完整的图案飘起,或者歪掉,扭曲 感觉上是光阻与基板的附着性很差,不知道是否是曝光时间不足,还是烤的时间不够? 或者是哪边出了问题,还请各位神人给点建议,感谢!!! 另外有个疑问是,SU-8适合拿来做mesa的掩蔽物吗? 因为SU-8去除的动作满麻烦的,泡Remover PG(50~80度西) 过IPA再过水吹乾 没有使用一般光阻来的方便(泡Ace,IPA,DI-water即可) --

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