作者tony32100 (tony32100)
看板NEMS
标题[问题] SU-8 2 光阻
时间Wed Aug 14 00:07:15 2013
小弟目前实验室遇到如下的状况,想要请问板上各位大神
预计使用SU-8系列中最薄的2这支负光阻,
显出来的图案想要遮盖下方的石墨烯薄膜,
利用乾蚀刻(氧电浆)做出mesa
步骤如下,
Si/SiO2基板
Ace,IPA,DI-water各震洗5 min
200度西烤乾,放5min降温
涂布SU-8 2 step1:15s/1000rpm
step2:30s/4000rpm
软烤 65度西 120s,换另外一个烤盘,
95度西 180s
曝光 6.5 mW/10s
曝後烤(同软烤) 65度西 120s,换另外一个烤盘,
95度西 180s
放5 min降温
显影(SU-8 developer) 浸入液中静置 60s後,取出浸入IPA 5~10s(检查有无显影完毕)
氮枪微风吹乾,看OM
这样的参数尝试了几片,曾出现过显影後完整的图案飘起,或者歪掉,扭曲
感觉上是光阻与基板的附着性很差,不知道是否是曝光时间不足,还是烤的时间不够?
或者是哪边出了问题,还请各位神人给点建议,感谢!!!
另外有个疑问是,SU-8适合拿来做mesa的掩蔽物吗?
因为SU-8去除的动作满麻烦的,泡Remover PG(50~80度西) 过IPA再过水吹乾
没有使用一般光阻来的方便(泡Ace,IPA,DI-water即可)
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