作者wqa98765 (GTO)
看板NEMS
標題[問題] SiO2厚度和LIFT-OFF製程的關係
時間Thu Aug 8 16:41:36 2013
板上好
小弟我現在做的碩論題目是製程相關
最近在做製程時有想到一個問題
就是一般上先以SiO2沉積在我的樣品上接下使用微影術進行蝕刻及濺鍍製程
我想請問一下一般上SiO2沉積的厚度對濺鍍和之後的Lift-off的成功率有關係嗎
我的SiO2沉積厚度為400nm
濺鍍金屬是選用Ni並濺鍍250nm
謝謝
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◆ From: 140.123.123.238
1F：推 bbdd203:SiO2越厚越OK吧 我METAL LIFT-OFF都用光阻 厚度比超過10:1 08/09 02:03
2F：推 s75287:為什麼是用sputter, sputter沒有方向性不太能lift off 08/09 02:57
3F：推 skyghostlove:(鎳金屬)Lift-off成功與否與曝光顯影有關 08/13 02:15
4F：推 skyghostlove:與sio2沉積厚度無關 08/13 02:17