作者wqa98765 (GTO)
看板NEMS
标题[问题] SiO2厚度和LIFT-OFF制程的关系
时间Thu Aug 8 16:41:36 2013
板上好
小弟我现在做的硕论题目是制程相关
最近在做制程时有想到一个问题
就是一般上先以SiO2沉积在我的样品上接下使用微影术进行蚀刻及溅镀制程
我想请问一下一般上SiO2沉积的厚度对溅镀和之後的Lift-off的成功率有关系吗
我的SiO2沉积厚度为400nm
溅镀金属是选用Ni并溅镀250nm
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.123.123.238
1F:推 bbdd203:SiO2越厚越OK吧 我METAL LIFT-OFF都用光阻 厚度比超过10:1 08/09 02:03
2F:推 s75287:为什麽是用sputter, sputter没有方向性不太能lift off 08/09 02:57
3F:推 skyghostlove:(镍金属)Lift-off成功与否与曝光显影有关 08/13 02:15
4F:推 skyghostlove:与sio2沉积厚度无关 08/13 02:17