※ 引述《nasa01 (123)》之銘言： : 標題: [問題] su8 100 厚度 : 時間: Wed Aug 7 12:09:03 2013 : 請問一下哪邊環節出了問題? 做了好幾十次都會厚度不足 : : -- :

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) : ◆ From: 203.64.97.123 : 推 SkyLark2001:既然都上網查了，為什麼不用microChem的官方參數？ 08/07 13:54 : 推 SkyLark2001:http://microchem.com/pdf/SU8_50-100.pdf 08/07 13:59 : → SkyLark2001:光阻厚度取決於spin cycle, MicroChem一律都是轉30S 08/07 14:00 : → SkyLark2001:所以我會選擇用1750rpm轉30S，再針對轉出來的厚度 08/07 14:01 : → SkyLark2001:增加或減少。至於table1跟fig1顯示還不一樣，你可以 08/07 14:01 : → SkyLark2001:2000 rpm跟1750 rpm都試試看 08/07 14:01 : → nasa01:參數是這個pdf沒錯，還是我看錯了? 08/07 18:48 : → nasa01:即使是圖一，也是100um,可是我的都是70-80um 08/07 18:50 : → nasa01:所以是，300轉30秒，1750轉30秒?? 08/07 18:59 PDF第二頁左下角有一段 The recommended coating conditions are: 用表來表示就是 speed(RPM) Ramp(RPM/S) Dwell(S) Spread 500 100* 5-10** Spin X 300 30 * :由0升至500rpm的加速度 **:在500rpm時維持住的時間 x :參照圖1，依據所欲厚度所訂出的轉速 不同廠商做出來的spinner設定不同，你就依據上表去改就可以了。 補充，講到光阻厚度，很多人直覺影響最主要的就是轉速。但往往因此忽略第二重要的 變數就是spin的dwell時間。MicoChem所有型號SU-8的datasheet公定spin dwell time 一律是30s，他們的圖一也都是根據轉30s得來的結果。這也就是為什麼我一看到你參數 就先猜你不是用官方參數的原因。 另外一點要補充的是spin 30s的原因是因為在那附近轉出來的光阻uniformity最好 尤其是動輒上100microns的厚光阻，你轉到60S，uniformity變差，整片wafer 中心到邊緣中間那部分會最薄，中心較厚，邊緣最厚，其差異甚至可到十數 microns 你全都量一遍就了解了 對了補充三。我自己照著SU-8官方參數做，實際厚度也很少跟datasheet一樣的。 通常會略薄，你若2000 rpm 30s做出來不行就改1750rpm 30s,再不行就看差距大不大， 可以50rpm或是100rpm或是更大差距這樣的降低轉速。等試到了正確的厚度， 你自己的厚度轉速表(如表一)也出來了，擺在論文裡不覺得很帥嗎？ ker ker -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 76.22.72.248 ※ 編輯: SkyLark2001 來自: 76.22.72.248 (08/08 02:14) ※ 編輯: SkyLark2001 來自: 76.22.72.248 (08/08 02:38) 這些層很麻煩，可能要一層一層試(因為每一層材料都不同)，每一層都建立自己的 轉速-厚度表。 另外關於溫度濕度，溫度方面其實我真的不熟，濕度方面因為之前我的實驗室 因為其他工程師抱怨，所以還特別加裝噴水裝置來加濕。不過我查了一下， http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=995036 看樣子就算濕度變化到幾十度，對50um厚度的影響還是不會太大。 最大的影響是那些要做ebeam lithography的人，因為他們是轉nm等級的厚度。 加上濕度的影響是因為跟光阻內的溶劑揮發有關，若PDMS本身solvant 組成沒有光阻 那麼重，那影響就又更少了 (抱歉我對PDMS成分不熟) ※ 編輯: SkyLark2001 來自: 205.175.124.113 (08/09 03:08)