作者jack29556446 (loser)
看板NEMS
標題[問題] DBR-TiO2/SiO2 etch???
時間Mon Aug 5 21:26:35 2013
關於DBR dry etching and wet etching的一些問題
wet etching:
我用BOE去吃的undercut似乎有點誇張
而且往下吃感覺是亂吃不是一層一層的往下走的感覺
當我覺得吃乾淨之後,跑去照SEM發現
在PR與DBR交界的地方居然還有一些DBR沒有被吃掉
___________________
∣ ∣ PR
﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉
————============——— 此層為比較上層的DBR
============== =: TiO2/SiO2
============== =: TiO2/SiO2
============= DBR(≒2μm)
===========
████████████████████ 基板
我目前的結論是覺得BOE的undercut太快了,而且上層的DBR有沒吃乾淨的情況發生
不知道有沒有也有濕蝕刻過DBR的經驗,可以分享一下?
dry etching:
目前還在想說要用什麼當ICP-RIE的 hard mask
目前有可慮到AZ-4620或者是其他AZ系列的光阻劑
但是選擇另一個光阻劑,你就要去找對應的顯影液
不然就是要用金屬當光罩,相對的你也要找到可以顯影金屬的液體
乾蝕刻的光罩條件應該就是要夠厚可以擋得住,因為DBR似乎有點厚
希望有人回應我#_# 下台一鞠躬!!
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日常生活中的十大謊言
1.
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3.
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5.
商人:虧本大拍賣,只到今天! 6.
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7.
男孩:乖,不會痛的~ 8.
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9.
父母:我們幫你把紅包都存起來了。 10.
阿桑: 帥哥~~~~~~
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◆ From: 140.112.17.13
1F:推 SkyLark2001:你在想Hard mask之前要先去問北微的staff你有哪幾種選 08/06 01:57
2F:→ SkyLark2001:擇...不然我猜北微ICPRIE是不給進金屬hard mask的 08/06 01:58
3F:推 SkyLark2001:我不知道什麼是DBR,但我想SiO2跟TiO2,你不會想要用 08/06 02:05
4F:→ SkyLark2001:ICP RIE去吃的,staff應該也不會准你這樣做,一定得用 08/06 02:06
5F:→ SkyLark2001:乾蝕刻的話要用的也是"有對應氣體"的"RIE"。 08/06 02:07
6F:推 Zoma:307b? 08/06 23:32
7F:推 hsnulight:布拉格反射鏡? 08/07 01:59
8F:推 sean1013:301B 08/09 18:47