作者zxcvoice (cc)
看板NEMS
標題[問題] 厚光阻曝光問題
時間Sun Jun 23 23:36:48 2013
請問一下
我在使用az4620 目標厚度10um作曝光時
dark區也照樣被顯掉,而且是相當大範圍(600-800um以上)不規則的形狀
我的線寬是60-100um
去請教有黃光經驗的工程師,他們一致認為是那些區域是被"顯掉"
而且是顯得很乾淨,代表不該曝光的地方被曝到了
我有檢查我的光罩鉻膜正常,用薄光阻也曝出正常圖形
所以 我猜想,是不是有可能我的4620厚度相當不平均
我曝光機用hard contact時,光罩一接觸光阻就停止下壓
導致光罩其實是和wafer邊緣接觸(邊緣光阻較厚)
wafer中間和光罩仍有很大的gap
所以曝光時 光有可能打進我的線寬後反射之類的
剛好我的線寬又大(100um) 會有一些不垂直的光射進去
於是就發生 dark處被曝到
我想請問 這種可能性有嗎?
我的4620參數是
500rpm 10s
2000rpm 20s
曝光機 1000W
軟烤 90C 5min
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.46.137
1F：推 jeffdon2:曝光秒數是多少，而且你用的曝光機工率也高得太誇張了吧 06/24 00:05
2F：→ jeffdon2:一般常用的曝光機功率大概都在10~20mW，10um的AZ4620光阻 06/24 00:07
3F：→ jeffdon2:頂多曝個20~30秒吧 06/24 00:07
4F：→ jeffdon2:可以去找一下AZ4620的datasheet應該很好找才對 06/24 00:09
5F：推 s75287:應該是 over exposure.... 06/24 00:47
6F：→ luckyluck:1000W........太誇張了吧 06/24 01:22
7F：推 Jinuse:燈管有可能是這個瓦數 但是曝出來的波段劑量才是重點吧 06/24 03:06
8F：推 Jinuse:如果懷疑你的假設可以洗邊或是壓到中間出現紋路再曝光 06/24 03:10
9F：推 xneptunex:再確認你的曝光參數，另外是玻璃wafer? 06/24 08:11
是一般的silicon wafer,
另外應該確定是這種原因
因為使用另一台曝光機 手動調整mask Z軸
把mask 和wafer緊黏在一起曝光 (wafer完全黏在mask上)
曝光圖形頂多差個幾um,就正常很多
不像之前 dark處也大面積被顯掉
只是沒想到mask和wafer之間有gap
就會曝的很糟糕
※ 編輯: zxcvoice 來自: 140.113.217.74 (06/24 20:48)
10F：推 Colula:建議作黃光實驗者都應該看一下這篇Troubleshooting 06/29 07:32
12F：推 Colula:你黃光微影的條件對於厚光阻並不太合適，照裡面的說法， 06/29 07:43
13F：→ Colula:10um厚光阻烤不夠乾，加上過強曝光，將使得氮鍵斷裂而氮氣 06/29 07:45
14F：→ Colula:氣溢出而形成氣泡狀，這點在曝光完後就應該可以看出來 06/29 07:46
15F：→ Colula:中間有contact gap的話不會有這樣大的落差 06/29 07:48
16F：推 SkyLark2001:樓上講的比較合理。這種case一搬要增加軟烤溫度才是 06/29 17:21
17F：→ SkyLark2001:沒有貼緊最主要只會造成你的線寬明顯增加(或減少，看 06/29 17:23
18F：→ SkyLark2001:你的光罩是dark 還是clear field 06/29 17:23