作者zxcvoice (cc)
看板NEMS
标题[问题] 厚光阻曝光问题
时间Sun Jun 23 23:36:48 2013
请问一下
我在使用az4620 目标厚度10um作曝光时
dark区也照样被显掉,而且是相当大范围(600-800um以上)不规则的形状
我的线宽是60-100um
去请教有黄光经验的工程师,他们一致认为是那些区域是被"显掉"
而且是显得很乾净,代表不该曝光的地方被曝到了
我有检查我的光罩铬膜正常,用薄光阻也曝出正常图形
所以 我猜想,是不是有可能我的4620厚度相当不平均
我曝光机用hard contact时,光罩一接触光阻就停止下压
导致光罩其实是和wafer边缘接触(边缘光阻较厚)
wafer中间和光罩仍有很大的gap
所以曝光时 光有可能打进我的线宽後反射之类的
刚好我的线宽又大(100um) 会有一些不垂直的光射进去
於是就发生 dark处被曝到
我想请问 这种可能性有吗?
我的4620参数是
500rpm 10s
2000rpm 20s
曝光机 1000W
软烤 90C 5min
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.46.137
1F：推 jeffdon2:曝光秒数是多少，而且你用的曝光机工率也高得太夸张了吧 06/24 00:05
2F：→ jeffdon2:一般常用的曝光机功率大概都在10~20mW，10um的AZ4620光阻 06/24 00:07
3F：→ jeffdon2:顶多曝个20~30秒吧 06/24 00:07
4F：→ jeffdon2:可以去找一下AZ4620的datasheet应该很好找才对 06/24 00:09
5F：推 s75287:应该是 over exposure.... 06/24 00:47
6F：→ luckyluck:1000W........太夸张了吧 06/24 01:22
7F：推 Jinuse:灯管有可能是这个瓦数 但是曝出来的波段剂量才是重点吧 06/24 03:06
8F：推 Jinuse:如果怀疑你的假设可以洗边或是压到中间出现纹路再曝光 06/24 03:10
9F：推 xneptunex:再确认你的曝光参数，另外是玻璃wafer? 06/24 08:11
是一般的silicon wafer,
另外应该确定是这种原因
因为使用另一台曝光机 手动调整mask Z轴
把mask 和wafer紧黏在一起曝光 (wafer完全黏在mask上)
曝光图形顶多差个几um,就正常很多
不像之前 dark处也大面积被显掉
只是没想到mask和wafer之间有gap
就会曝的很糟糕
※ 编辑: zxcvoice 来自: 140.113.217.74 (06/24 20:48)
10F：推 Colula:建议作黄光实验者都应该看一下这篇Troubleshooting 06/29 07:32
12F：推 Colula:你黄光微影的条件对於厚光阻并不太合适，照里面的说法， 06/29 07:43
13F：→ Colula:10um厚光阻烤不够乾，加上过强曝光，将使得氮键断裂而氮气 06/29 07:45
14F：→ Colula:气溢出而形成气泡状，这点在曝光完後就应该可以看出来 06/29 07:46
15F：→ Colula:中间有contact gap的话不会有这样大的落差 06/29 07:48
16F：推 SkyLark2001:楼上讲的比较合理。这种case一搬要增加软烤温度才是 06/29 17:21
17F：→ SkyLark2001:没有贴紧最主要只会造成你的线宽明显增加(或减少，看 06/29 17:23
18F：→ SkyLark2001:你的光罩是dark 还是clear field 06/29 17:23