作者Ren211225 (JIMMY)
看板NEMS
標題[問題] Oxide dry etching profile
時間Wed May 15 01:11:32 2013
大家好
目前有一項實驗在調整氧化層的側壁形狀
目前做出來接近垂直
為了後續鍍鋁避免覆蓋不良希望做出梯形的profile
目前使用的氣體種類有CHF3 SF6 O2 HE
請問要如何調整比較有機會達成目的呢???
第一次提問
先感謝大家的指教
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◆ From: 220.133.3.38
1F：推 Jeffch:可以試著增加氣壓看看(維持固定氣體比例及功率) 05/15 02:32
2F：→ NicolaiGedda:加氣壓會讓profile形成ball狀，降低O2或CHF3等保護氣 05/21 10:38
3F：→ NicolaiGedda:側壁氣體，比較有機會形成梯形 05/21 10:39
4F：推 Colula:1.減少RF功率，減緩RIE中離子團氣體垂直撞擊程度 05/23 00:22
5F：→ Colula:2.如Nico大所說的降低O2流量，或提升SF6流量讓化學蝕刻性 05/23 00:26
6F：→ Colula:提升，側壁蝕刻速度會加快，但有可能造成側壁凹凹凸凸的 05/23 00:27
7F：→ Colula:He應該是冷卻電極用的，不要調整或是過大，有些RIE開太強 05/23 00:29
8F：→ Colula:的He會造成wafer的震動，影響surface condition 05/23 00:30
9F：推 Jeffch:借標題問一下。想請教為什麼蝕刻oxide需要用到O2? 05/23 04:22
10F：→ Ren211225:在PR可保護的前提下，加入O2可增加蝕刻速率 05/29 00:00
11F：→ Ren211225:本人是這樣操作，不確定是否有其他影響 05/29 00:03