作者Ren211225 (JIMMY)
看板NEMS
标题[问题] Oxide dry etching profile
时间Wed May 15 01:11:32 2013
大家好
目前有一项实验在调整氧化层的侧壁形状
目前做出来接近垂直
为了後续镀铝避免覆盖不良希望做出梯形的profile
目前使用的气体种类有CHF3 SF6 O2 HE
请问要如何调整比较有机会达成目的呢???
第一次提问
先感谢大家的指教
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.133.3.38
1F：推 Jeffch:可以试着增加气压看看(维持固定气体比例及功率) 05/15 02:32
2F：→ NicolaiGedda:加气压会让profile形成ball状，降低O2或CHF3等保护气 05/21 10:38
3F：→ NicolaiGedda:侧壁气体，比较有机会形成梯形 05/21 10:39
4F：推 Colula:1.减少RF功率，减缓RIE中离子团气体垂直撞击程度 05/23 00:22
5F：→ Colula:2.如Nico大所说的降低O2流量，或提升SF6流量让化学蚀刻性 05/23 00:26
6F：→ Colula:提升，侧壁蚀刻速度会加快，但有可能造成侧壁凹凹凸凸的 05/23 00:27
7F：→ Colula:He应该是冷却电极用的，不要调整或是过大，有些RIE开太强 05/23 00:29
8F：→ Colula:的He会造成wafer的震动，影响surface condition 05/23 00:30
9F：推 Jeffch:借标题问一下。想请教为什麽蚀刻oxide需要用到O2? 05/23 04:22
10F：→ Ren211225:在PR可保护的前提下，加入O2可增加蚀刻速率 05/29 00:00
11F：→ Ren211225:本人是这样操作，不确定是否有其他影响 05/29 00:03