作者tengyuan (tengyuan)
看板NEMS
標題[問題] icp 蝕刻 silicon
時間Tue Apr 30 18:07:15 2013
我請人幫我製作e beam writer
上的光阻是pmma a4
厚度約200nm
因本實驗室沒有這方面的經驗
但有負型光阻nr7-1000p
有去做過icp的參數
STEP1 STEP2
CF4 20
CL2 20
ICP POWER 600 600
BIAS POWER 200 200
PRESSURE 4 4
TIME 60s 約1-2min
我只要蝕刻silicon，pattern是光柵狀的，週期360nm，線寬180nm
不知是否可用上面nr7-100的參數來對應pmma的參數?
我最後有做硬烤的動作 100度/90sec
不知pmma是否耐不耐打?
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◆ From: 140.117.32.248
1F：推 Jeffch:你要吃多深? 05/01 03:11
2F：→ tengyuan:我希望能夠吃100nm~200nm左右 05/01 10:35
3F：→ NicolaiGedda:哪一家的機台? 05/01 18:38
4F：→ tengyuan:中山的，nr7-1000p的光阻用上面的參數打Cl2一分鐘~150nm 05/01 22:03
5F：→ tengyuan:三分鐘約快300nm，只是打太久感覺邊邊有被吃掉的感覺 05/01 22:05
6F：推 Jeffch:我沒有用過nr7-100做EBEAM，但就我用過的EBEAM光阻而言，正 05/02 04:02
7F：→ Jeffch:光阻(ZEP, PMMA,...)是比負光阻(NEB,...)耐打許多，如果你 05/02 04:04
8F：→ Jeffch:真的擔心的話可以把PMMA再加厚一點... 05/02 04:05
9F：→ tengyuan:nr7-1000p是用黃光微影做的，EBEAM是用PMMA做的 05/02 10:43
10F：→ NicolaiGedda:中山是哪一家的機台??STS??Oxford?各家的選擇比有差 05/17 18:47