作者tengyuan (tengyuan)
看板NEMS
标题[问题] icp 蚀刻 silicon
时间Tue Apr 30 18:07:15 2013
我请人帮我制作e beam writer
上的光阻是pmma a4
厚度约200nm
因本实验室没有这方面的经验
但有负型光阻nr7-1000p
有去做过icp的参数
STEP1 STEP2
CF4 20
CL2 20
ICP POWER 600 600
BIAS POWER 200 200
PRESSURE 4 4
TIME 60s 约1-2min
我只要蚀刻silicon，pattern是光栅状的，周期360nm，线宽180nm
不知是否可用上面nr7-100的参数来对应pmma的参数?
我最後有做硬烤的动作 100度/90sec
不知pmma是否耐不耐打?
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.117.32.248
1F：推 Jeffch:你要吃多深? 05/01 03:11
2F：→ tengyuan:我希望能够吃100nm~200nm左右 05/01 10:35
3F：→ NicolaiGedda:哪一家的机台? 05/01 18:38
4F：→ tengyuan:中山的，nr7-1000p的光阻用上面的参数打Cl2一分钟~150nm 05/01 22:03
5F：→ tengyuan:三分钟约快300nm，只是打太久感觉边边有被吃掉的感觉 05/01 22:05
6F：推 Jeffch:我没有用过nr7-100做EBEAM，但就我用过的EBEAM光阻而言，正 05/02 04:02
7F：→ Jeffch:光阻(ZEP, PMMA,...)是比负光阻(NEB,...)耐打许多，如果你 05/02 04:04
8F：→ Jeffch:真的担心的话可以把PMMA再加厚一点... 05/02 04:05
9F：→ tengyuan:nr7-1000p是用黄光微影做的，EBEAM是用PMMA做的 05/02 10:43
10F：→ NicolaiGedda:中山是哪一家的机台??STS??Oxford?各家的选择比有差 05/17 18:47