作者kcaj1009 (eat)
看板NEMS
標題[問題] KOH蝕刻P-type (100)Si 出金字塔結構
時間Wed Apr 24 21:52:54 2013
想請問一下
我想在矽晶圓上吃出一個個金字塔狀突起的結構
原先的想法是設計光罩讓wafer表面上面有定義好的5um*5um方框的SiO2 (10000A)
當作阻擋層
其他地方裸露出Silicon, 泡入KOH溶液中，文獻上說會蝕刻到(111)平面就會停
但是我的會一直側吃進去oxide擋住的地方
http://ppt.cc/JghR ←我拍的SEM圖
擋在上面的是我的oxide (看起來火山狀是因為我有用BOE蝕刻過)
請問有人有蝕刻過這樣的結構嗎~
謝謝Orz
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◆ From: 140.113.228.31
※ 編輯: kcaj1009 來自: 140.113.228.31 (04/24 21:53)
1F：推 Jeffch:這不就是你要形狀嗎?還是說你是要角錐不是圓錐?? 04/25 00:52
2F：推 astushi:他應該不是要變成disk~ 04/25 19:43
3F：推 Ice98:用nitride當擋罩會比較好，KOH也是會吃oxide的 04/25 20:06
4F：→ Ice98:還有你的重量百分濃度和溫度各是多少?蝕刻時有無攪拌? 04/25 20:07
5F：→ kcaj1009:我的疑問是為什麼他會一直側吃進去 我原本希望oxide下面 04/26 19:16
6F：→ kcaj1009:是不會被側吃的 另外我用30% 50C 有磁石攪拌 04/26 19:17
7F：→ kcaj1009:我試著加過IPA不過結果差不多 頂多氣泡變少 04/26 19:18
8F：→ kcaj1009:因為我希望可以吃到30um高 可是側吃嚴重頂多吃到15um就掛 04/26 19:22
9F：→ kcaj1009:至於角錐圓錐我不是很在意 不過有什麼原因會影響嗎?? 04/26 19:28
10F：推 Jeffch:雖然是Anisotropic Etch但還是會同時往兩個不同的面吃， 04/27 02:33
12F：→ Jeffch:(100):(110)看起來大概是1:1.5吧 (不同濃度不同溫度略有 04/27 02:35
13F：→ Jeffch:差異，感覺會造成你這樣的效果應該蠻正常的。 04/27 02:35
14F：→ kcaj1009:是的! 110方向(側向)吃的速度也很快 不過會停住主要是因 04/27 16:02
15F：→ kcaj1009:為遇到蝕刻速率超級慢的111平面 不過經過Ice98大大解說 04/27 16:03
16F：→ kcaj1009:我的pattern較小(5um*5um)加上曝光機台的誤差 會造成 04/27 16:05
17F：→ kcaj1009:遇不到相連的111平面 側吃就會很嚴重 04/27 16:08
18F：→ AKPPT:photonic crystal or waveguide?? 04/28 12:50