作者kcaj1009 (eat)
看板NEMS
标题[问题] KOH蚀刻P-type (100)Si 出金字塔结构
时间Wed Apr 24 21:52:54 2013
想请问一下
我想在矽晶圆上吃出一个个金字塔状突起的结构
原先的想法是设计光罩让wafer表面上面有定义好的5um*5um方框的SiO2 (10000A)
当作阻挡层
其他地方裸露出Silicon, 泡入KOH溶液中，文献上说会蚀刻到(111)平面就会停
但是我的会一直侧吃进去oxide挡住的地方
http://ppt.cc/JghR ←我拍的SEM图
挡在上面的是我的oxide (看起来火山状是因为我有用BOE蚀刻过)
请问有人有蚀刻过这样的结构吗~
谢谢Orz
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◆ From: 140.113.228.31
※ 编辑: kcaj1009 来自: 140.113.228.31 (04/24 21:53)
1F：推 Jeffch:这不就是你要形状吗?还是说你是要角锥不是圆锥?? 04/25 00:52
2F：推 astushi:他应该不是要变成disk~ 04/25 19:43
3F：推 Ice98:用nitride当挡罩会比较好，KOH也是会吃oxide的 04/25 20:06
4F：→ Ice98:还有你的重量百分浓度和温度各是多少?蚀刻时有无搅拌? 04/25 20:07
5F：→ kcaj1009:我的疑问是为什麽他会一直侧吃进去 我原本希望oxide下面 04/26 19:16
6F：→ kcaj1009:是不会被侧吃的 另外我用30% 50C 有磁石搅拌 04/26 19:17
7F：→ kcaj1009:我试着加过IPA不过结果差不多 顶多气泡变少 04/26 19:18
8F：→ kcaj1009:因为我希望可以吃到30um高 可是侧吃严重顶多吃到15um就挂 04/26 19:22
9F：→ kcaj1009:至於角锥圆锥我不是很在意 不过有什麽原因会影响吗?? 04/26 19:28
10F：推 Jeffch:虽然是Anisotropic Etch但还是会同时往两个不同的面吃， 04/27 02:33
12F：→ Jeffch:(100):(110)看起来大概是1:1.5吧 (不同浓度不同温度略有 04/27 02:35
13F：→ Jeffch:差异，感觉会造成你这样的效果应该蛮正常的。 04/27 02:35
14F：→ kcaj1009:是的! 110方向(侧向)吃的速度也很快 不过会停住主要是因 04/27 16:02
15F：→ kcaj1009:为遇到蚀刻速率超级慢的111平面 不过经过Ice98大大解说 04/27 16:03
16F：→ kcaj1009:我的pattern较小(5um*5um)加上曝光机台的误差 会造成 04/27 16:05
17F：→ kcaj1009:遇不到相连的111平面 侧吃就会很严重 04/27 16:08
18F：→ AKPPT:photonic crystal or waveguide?? 04/28 12:50