作者tengyuan (tengyuan)
看板NEMS
標題[問題] 乾式蝕刻silicon
時間Thu Mar 28 22:32:37 2013
我最近要在矽基板上用IPC乾式蝕刻，
查到大多都是用Cl2氣體去蝕刻，
在書上看到氟碳比模型，
也可用CF4氣體加一點02，
可增加蝕刻速率，
因為基板上有光阻，
想說用後者蝕刻的話，
因O2氣體會蝕刻光阻，
會不會破壞的光阻的形貌?
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◆ From: 140.117.32.248
1F：→ tengyuan:用哪一種氣體來蝕刻比較好? 03/28 22:35
2F：推 bbdd203:就我實驗室的同組人經驗 不論任何氣體 03/31 03:22
3F：→ bbdd203:都會對光阻有物理性的表面"轟炸" 03/31 03:23
4F：→ bbdd203:形貌一定會變 03/31 03:23
5F：→ bbdd203:要看你光阻的用途 如果只是拿來檔乾蝕刻 03/31 03:24
6F：→ bbdd203:建議乾脆乾蝕刻完了重新上一次? 做你後續考慮到光阻形貌 03/31 03:24
7F：→ bbdd203:的製程 03/31 03:25
8F：→ tengyuan:瞭解，感謝大大! 03/31 14:11