作者tengyuan (tengyuan)
看板NEMS
标题[问题] 乾式蚀刻silicon
时间Thu Mar 28 22:32:37 2013
我最近要在矽基板上用IPC乾式蚀刻，
查到大多都是用Cl2气体去蚀刻，
在书上看到氟碳比模型，
也可用CF4气体加一点02，
可增加蚀刻速率，
因为基板上有光阻，
想说用後者蚀刻的话，
因O2气体会蚀刻光阻，
会不会破坏的光阻的形貌?
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.117.32.248
1F：→ tengyuan:用哪一种气体来蚀刻比较好? 03/28 22:35
2F：推 bbdd203:就我实验室的同组人经验 不论任何气体 03/31 03:22
3F：→ bbdd203:都会对光阻有物理性的表面"轰炸" 03/31 03:23
4F：→ bbdd203:形貌一定会变 03/31 03:23
5F：→ bbdd203:要看你光阻的用途 如果只是拿来档乾蚀刻 03/31 03:24
6F：→ bbdd203:建议乾脆乾蚀刻完了重新上一次? 做你後续考虑到光阻形貌 03/31 03:24
7F：→ bbdd203:的制程 03/31 03:25
8F：→ tengyuan:了解，感谢大大! 03/31 14:11