作者andylove0612 (漢仔)
看板NEMS
標題Re: [問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽
時間Wed Jan 30 10:01:05 2013
大家好 SIO2在Pt之上，SiO2是以PECVD成長300nm，蝕刻時間太短無法蝕刻到Pt層，乾蝕刻機台有問題，所以改用濕蝕刻，謝謝各位回答@@，真想不出是什麼原因~~
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◆ From: 203.64.101.53
1F：→ nevinyrrals:應該就是蝕刻太快 PECVD SiO2隨便泡一下BOE就秒殺了 01/30 13:23
2F：推 jeffdon2:蝕刻過2um的PECVD SiO2 BOE泡下去1分半剛剛好，300nm的話 01/30 14:11
3F：→ jeffdon2:頂多10幾秒吧，也要考慮一下均勻度的問題 01/30 14:12
4F：推 SkyLark2001:對啊樓上分析很有道理，所以應該只是誤會一場 01/31 12:09
5F：→ SkyLark2001:縱向深度不是"只有"0.3um...而是本來就只有厚0.3 um 01/31 12:10
6F：→ SkyLark2001:所以全被吃光了呀 01/31 12:10
7F：推 lliuooia:PECVD...隨便一吃就吃光光了 02/05 11:44
8F：→ andylove0612:謝謝大家，大家用PECVD沉積的SIO2似乎泡BOE都一下子 02/16 01:16
9F：→ andylove0612:但我洞挖出來後，有再經過一道黃光然後鍍鋁之後做 02/16 01:17
10F：→ andylove0612:lift-off 藉以測試是否有導通，但我都必須要蝕刻到 02/16 01:17
11F：→ andylove0612:3min過後才有導通的情形，Pt測阻值要小於10歐姆才算 02/16 01:18
12F：→ andylove0612:好悶，使用的BOE跟國家奈米實驗室南科廠的一樣 02/16 01:21