作者andylove0612 (汉仔)
看板NEMS
标题Re: [问题] BOE蚀刻4um圆的二氧化矽
时间Wed Jan 30 10:01:05 2013
大家好 SIO2在Pt之上，SiO2是以PECVD成长300nm，蚀刻时间太短无法蚀刻到Pt层，乾蚀刻机台有问题，所以改用湿蚀刻，谢谢各位回答@@，真想不出是什麽原因~~
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◆ From: 203.64.101.53
1F：→ nevinyrrals:应该就是蚀刻太快 PECVD SiO2随便泡一下BOE就秒杀了 01/30 13:23
2F：推 jeffdon2:蚀刻过2um的PECVD SiO2 BOE泡下去1分半刚刚好，300nm的话 01/30 14:11
3F：→ jeffdon2:顶多10几秒吧，也要考虑一下均匀度的问题 01/30 14:12
4F：推 SkyLark2001:对啊楼上分析很有道理，所以应该只是误会一场 01/31 12:09
5F：→ SkyLark2001:纵向深度不是"只有"0.3um...而是本来就只有厚0.3 um 01/31 12:10
6F：→ SkyLark2001:所以全被吃光了呀 01/31 12:10
7F：推 lliuooia:PECVD...随便一吃就吃光光了 02/05 11:44
8F：→ andylove0612:谢谢大家，大家用PECVD沉积的SIO2似乎泡BOE都一下子 02/16 01:16
9F：→ andylove0612:但我洞挖出来後，有再经过一道黄光然後镀铝之後做 02/16 01:17
10F：→ andylove0612:lift-off 藉以测试是否有导通，但我都必须要蚀刻到 02/16 01:17
11F：→ andylove0612:3min过後才有导通的情形，Pt测阻值要小於10欧姆才算 02/16 01:18
12F：→ andylove0612:好闷，使用的BOE跟国家奈米实验室南科厂的一样 02/16 01:21