作者andylove0612 (漢仔)
看板NEMS
標題[問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽
時間Tue Jan 29 14:58:54 2013
大家好....
想請問各位蝕刻問題
元件結構二氧化矽300nm/白金100nm，以濕式蝕刻法BOE在二氧化矽上蝕刻4um直徑的圓
元件顯影完後經顯微鏡測圓的大小為4um
但是每次蝕刻後，其直徑至少多10um，也就是變成14um的大小。
縱向深度只有0.3um，但同樣時間的側向蝕刻會多了10um，請問是否是光阻附著力不夠，
導至光阻掀起，對更大範圍蝕刻。不知道是不是HMDS出了問題，請問該如何解決呢??
謝謝大家!!
實驗流程:
以spin coater的方式
滴HMDS旋轉後等至揮發
↓
塗AZ 5214正光阻
軟烤後，以hard contact進行曝光，顯影
↓
硬烤
↓
BOE蝕刻
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◆ From: 203.64.101.53
1F：推 Jeffch:Pt on top of SiO2? 01/29 16:44
2F：推 SkyLark2001:要不要改試dry etching? 01/29 17:05
3F：推 jeffdon2:蝕刻時間有沒有抓好呢，是否蝕刻過久? 01/29 18:53
4F：→ jeffdon2:而且SiO2的沉積方式不同也會影響BOE的蝕刻速率 01/29 18:54