作者andylove0612 (汉仔)
看板NEMS
标题[问题] BOE蚀刻4um圆的二氧化矽
时间Tue Jan 29 14:58:54 2013
大家好....
想请问各位蚀刻问题
元件结构二氧化矽300nm/白金100nm，以湿式蚀刻法BOE在二氧化矽上蚀刻4um直径的圆
元件显影完後经显微镜测圆的大小为4um
但是每次蚀刻後，其直径至少多10um，也就是变成14um的大小。
纵向深度只有0.3um，但同样时间的侧向蚀刻会多了10um，请问是否是光阻附着力不够，
导至光阻掀起，对更大范围蚀刻。不知道是不是HMDS出了问题，请问该如何解决呢??
谢谢大家!!
实验流程:
以spin coater的方式
滴HMDS旋转後等至挥发
↓
涂AZ 5214正光阻
软烤後，以hard contact进行曝光，显影
↓
硬烤
↓
BOE蚀刻
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 203.64.101.53
1F：推 Jeffch:Pt on top of SiO2? 01/29 16:44
2F：推 SkyLark2001:要不要改试dry etching? 01/29 17:05
3F：推 jeffdon2:蚀刻时间有没有抓好呢，是否蚀刻过久? 01/29 18:53
4F：→ jeffdon2:而且SiO2的沉积方式不同也会影响BOE的蚀刻速率 01/29 18:54