先抱歉原本要推文，但因為推文會造成推文數太多然後又不好閱讀所以 就先回文，不是想洗版不好意思 用DSAM的目的是什麼？基本上lift-off的金屬厚度跟底下光阻厚度相比差距越大越好做 也不一定不要轉。這樣造成你的鍍膜厚度不均勻是很可觀的。怕階梯覆蓋 而不在鍍膜時轉wafer有點因小失大了。 而且你的最小線寬也有差。當然厚度越厚的光阻顯小線寬越吃力而且顯不乾淨， 這之中的tradeoff要自行拿捏 如果你的最小線寬都可以到5-10um以上的話用手邊的4620厚光阻成功機率就很大。 1.3um的光阻 lift-off 200nm的金屬也蠻常見的，但大多佐以超音波震洗 超音波震洗是雙面刃。我都要盡量多泡幾天甚至用acetone水柱去沖結構把百分之八九十 以上不要的金屬層都沖刷掉，然後才去稍微震洗一下。 不然當鍍完的wafer直接拿去狂震，那震成碎屑的金屬小顆粒黏在你最終的金屬膜上怎樣 清都很難清乾淨。 另外你的LOR是很棒的點子，但我建議可以用轉兩層你的DSAM，第一層DSAM就是拿來取代 LOR的 http://www.hindawi.com/journals/biomed/2012/647265/fig1/ lor那麼薄是因為大多用來作奈米等級線寬的lift-off 現在若是你的線寬是微米等級，那用你原本1um的光阻取代LOR就會有比使用LOR有更高的 成功機率。 記得第一層光阻要稍微過曝不用光罩，不要顯影，直接轉第二層。 若你沒做過我們可以再討論詳細步驟 這篇討論串也供原po(在鈮酸鋰上pattern IDT)參考。 對了還有鍍膜的方式 http://osdir.com/ml/science.microelectromechanical-systems/2002-07/msg00084.html 這個討論串裡面有講到Sputter的SiO2造成光阻的劣化所以不易lift-off 所以你可以考慮Evaporate優先。這樣子就只要優先考量光阻對高溫的抵抗力。 ※ 引述《HDview (新視野)》之銘言： : 推 Jeffch:oxide liftoff原則也是一樣的，主要就是避免光組不夠高， 11/28 04:42 : → Jeffch:以及因為旋轉而鍍到壁上...sample面積小的話其實可以不用轉 11/28 04:42 : 請教一下 如果我使用 : 1.正光阻DSAM-3020 廠商是寫約1.3um厚 : 加上 : 2.Lor 3B lift-off 光阻約 300~500nm厚 : 然後蒸鍍的時候又不旋轉的話 : 有可能oxide liftoff 300nm SiO2嗎 : SiO2 鍍膜可能會用 RF sputter 或是ebeam evaporation : 希望有經驗的各位先進給點建議 : 謝謝~~~ -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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