先抱歉原本要推文，但因为推文会造成推文数太多然後又不好阅读所以 就先回文，不是想洗版不好意思 用DSAM的目的是什麽？基本上lift-off的金属厚度跟底下光阻厚度相比差距越大越好做 也不一定不要转。这样造成你的镀膜厚度不均匀是很可观的。怕阶梯覆盖 而不在镀膜时转wafer有点因小失大了。 而且你的最小线宽也有差。当然厚度越厚的光阻显小线宽越吃力而且显不乾净， 这之中的tradeoff要自行拿捏 如果你的最小线宽都可以到5-10um以上的话用手边的4620厚光阻成功机率就很大。 1.3um的光阻 lift-off 200nm的金属也蛮常见的，但大多佐以超音波震洗 超音波震洗是双面刃。我都要尽量多泡几天甚至用acetone水柱去冲结构把百分之八九十 以上不要的金属层都冲刷掉，然後才去稍微震洗一下。 不然当镀完的wafer直接拿去狂震，那震成碎屑的金属小颗粒黏在你最终的金属膜上怎样 清都很难清乾净。 另外你的LOR是很棒的点子，但我建议可以用转两层你的DSAM，第一层DSAM就是拿来取代 LOR的 http://www.hindawi.com/journals/biomed/2012/647265/fig1/ lor那麽薄是因为大多用来作奈米等级线宽的lift-off 现在若是你的线宽是微米等级，那用你原本1um的光阻取代LOR就会有比使用LOR有更高的 成功机率。 记得第一层光阻要稍微过曝不用光罩，不要显影，直接转第二层。 若你没做过我们可以再讨论详细步骤 这篇讨论串也供原po(在铌酸锂上pattern IDT)参考。 对了还有镀膜的方式 http://osdir.com/ml/science.microelectromechanical-systems/2002-07/msg00084.html 这个讨论串里面有讲到Sputter的SiO2造成光阻的劣化所以不易lift-off 所以你可以考虑Evaporate优先。这样子就只要优先考量光阻对高温的抵抗力。 ※ 引述《HDview (新视野)》之铭言： : 推 Jeffch:oxide liftoff原则也是一样的，主要就是避免光组不够高， 11/28 04:42 : → Jeffch:以及因为旋转而镀到壁上...sample面积小的话其实可以不用转 11/28 04:42 : 请教一下 如果我使用 : 1.正光阻DSAM-3020 厂商是写约1.3um厚 : 加上 : 2.Lor 3B lift-off 光阻约 300~500nm厚 : 然後蒸镀的时候又不旋转的话 : 有可能oxide liftoff 300nm SiO2吗 : SiO2 镀膜可能会用 RF sputter 或是ebeam evaporation : 希望有经验的各位先进给点建议 : 谢谢~~~ -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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