作者foolphen (楓兒)
看板NEMS
標題[問題] RIE吃SiO2和金屬的參數
時間Wed Oct 31 00:41:39 2012
各位好 現在想要使用RIE吃SiO(100nm)和中間有一層薄金屬Ag(~10nm不平)
但因為下面有結構 也有SiO2 不可以被吃到
所以要吃得很平 也就是縱向蝕刻速率要比較小
看有人使用CF4 (我之前是使用CHF3單純吃另一種結構的SiO2)
不曉得兩種是不是都可以將10nm的金屬吃掉?
以及有人知道帕數和流量大致上要怎麼調整嗎?
謝謝!
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